Epitaxial growth on 4H-SiC by TCS as a silicon precursor
Epitaxial growth on 4H-SiC by TCS as a silicon precursor
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采用 TCS 作为硅前驱体在 4H-SiC 上进行外延生长
DOI：
10.1088/1674-4926/30/9/093006
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发表时间：
2009-09
影响因子：
5.1
通讯作者：
Zhao, Wanshun
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang, Lei;Sun, Guosheng;Liu, Xingfang;Ji, Gang;Zeng, Yiping;Li, Jinmin;Zhao, Wanshun
在水平热壁CVD反应器中，以三氯硅烷（TCS）为硅源，在不同温度和不同气体流量下，在尺寸为10 × 10 mm 2的n型4 H-SiC 8°偏取向衬底上进行了外延生长。
Epitaxial growth on n-type 4H-SiC 8° off-oriented substrates with a size of 10 × 10 mm2 at different temperatures with various gas flow rates has been performed in a horizontal hot wall CVD reactor, using trichlorosilane (TCS) as a silicon precursor sourc
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影响因子：
1.8
作者：
M. Dudley;W. Vetter;P. Neudeck
通讯作者：
M. Dudley;W. Vetter;P. Neudeck
DOI：
10.1109/icsict.2004.1435318
发表时间：
2004-10
期刊：
Proceedings. 7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology, 2004.
影响因子：
--
作者：
Guosheng Sun;Jin Ning;Yongxing Zhang;Xin Gao;Lei Wang;Wanshun Zhao;Yiping Zeng;Jinmin Li
通讯作者：
Guosheng Sun;Jin Ning;Yongxing Zhang;Xin Gao;Lei Wang;Wanshun Zhao;Yiping Zeng;Jinmin Li
DOI：
10.1002/1521-396x(199707)162:1
发表时间：
1997-07
期刊：
Physica Status Solidi (a)
影响因子：
--
作者：
R. Devaty;W. J. Choyke
通讯作者：
R. Devaty;W. J. Choyke
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.175
发表时间：
2006-10
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
M. F. Macmillan;M. Loboda;G. Chung;E. Carlson;J. Wan
通讯作者：
M. F. Macmillan;M. Loboda;G. Chung;E. Carlson;J. Wan
影响因子：
4.9
作者：
S. Ryu;S. Krishnaswami;M. O'loughlin;J. Richmond;A. Agarwal;J. Palmour;A. Hefner
通讯作者：
S. Ryu;S. Krishnaswami;M. O'loughlin;J. Richmond;A. Agarwal;J. Palmour;A. Hefner