(铝)镓铟磷量子阱中有序现象对有效质量和价带结构的影响
批准号:
60276006
项目类别:
面上项目
资助金额:
20.0 万元
负责人:
邵军
依托单位:
学科分类:
F0401.半导体材料
结题年份:
2005
批准年份:
2002
项目状态:
已结题
项目参与者:
刘坤、王晓光、吕翔
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中文摘要
(铝)镓铟磷异质结构是制备红光波段半导体激光器的重要材料。载流子的有效质量和能带结构是器件设计的重要基础。镓铟磷材料中的长程有序现象对材料特性有着显著影响并能用来改善器件的设计。本课题采用光致发光、光反射和磁输运等手段并结合Kp理论模拟,获取有效质量等参数及其与长程有序度的关系、同时拓展人们对量子阱中长程有序效应的认识。
英文摘要
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GaNAs/GaAs量子阱激子界面效应的磁光调制光谱研究
- 批准号:11974368
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:63.0万元
- 批准年份:2019
- 负责人:邵军
- 依托单位:
HgCdTe面阵探测器材料均匀性的调制光致发光谱方法与机理
- 批准号:61675224
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:67.0万元
- 批准年份:2016
- 负责人:邵军
- 依托单位:
稀铋量子阱界面效应与能带结构的调制光谱研究
- 批准号:11274329
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:95.0万元
- 批准年份:2012
- 负责人:邵军
- 依托单位:
InAs/GaSb超晶格红外探测材料的调制光谱研究
- 批准号:61176075
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:73.0万元
- 批准年份:2011
- 负责人:邵军
- 依托单位:
变条件集成红外调制光致发光谱实验系统
- 批准号:10927404
- 项目类别:专项基金项目
- 资助金额:80.0万元
- 批准年份:2009
- 负责人:邵军
- 依托单位:
掺杂碲镉汞半导体光学性质的红外调制光谱研究
- 批准号:60676063
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:27.0万元
- 批准年份:2006
- 负责人:邵军
- 依托单位:
国内基金
海外基金















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