红外探测事关国家战略安全。InAs/GaSb二类超晶格（T2SL）因其独有电子能带可剪裁性和高理论量子效率，成为近年国际红外探测研究热点。但是，关于T2SL基础研究仍相当有限，界面互扩散与厚度涨落、应力补偿、电子能带结构等因素对材料光学性能影响及其温度演化尚未得到解决。就国内而言，对这些问题全面理解更有助于尽快缩小与国际先进水平差距，推动材料器件性能提升。.本项目创新点在于，基于我们红外调制光谱技术优势，形成针对InAs/GaSb T2SL弱PL/PR特征测试条件优化，分析带边能带结构，探索应力补偿、界面互扩散及与材料制备、层厚的关系，研究红外调制光谱及其温度、激发功率演化行为，建立光电响应截止波长无损非接触可靠预测判据，形成对我国InAs/GaSb T2SL材料器件研究的红外调制光谱技术支持，解决材料器件研发中若干机理问题，在红外调制光谱物理研究中取得新结果，助推国家重点实验室学科发展。