掺杂碲镉汞半导体光学性质的红外调制光谱研究
批准号:
60676063
项目类别:
面上项目
资助金额:
27.0 万元
负责人:
邵军
依托单位:
学科分类:
半导体器件物理
结题年份:
2009
批准年份:
2006
项目状态:
已结题
项目参与者:
越方禹、洪学鹍、朱博、黄炜
中文摘要
碲镉汞是制备大规模高性能红外焦平面阵列探测器的重要材料。通过改变组分,探测范围覆盖三个大汽窗口,在空间、环境、国家安全等领域取得广泛应用。目前双色/多色IR FPAs是研究重点,掺杂对器件制备的影响等问题尚未得到很好解决。.本项目创新点在于,充分利用基于步进扫描傅立叶变换光谱仪的新型红外调制反射、双调制光致发光等光谱方法研究的重要进展,结合变温吸收光谱和光电导谱,系统研究外延碲镉汞材料的调制反射、双调制光致发光光谱特性;建立碲镉汞带边能带结构、杂质/缺陷能级分布与材料组分、制备、掺杂条件的关系;掌握As掺杂的激活、电性、及其组分/退火温度/掺杂浓度相关性;比较分析器件结构中深能级杂质/缺陷对双色MCT红外探测器性能的影响。从机理和参数两方面为我国双色/多色红外焦平面探测器材料/器件的制备提供基础支持。
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"Blueshift" in photoluminescence and photovoltaic spectroscopy of the ion-milling formed n-on-p HgCdTe photodiodes
离子铣削形成的 n-on-p HgCdTe 光电二极管的光致发光和光伏光谱中的“蓝移”
DOI:
10.1063/1.2740107
发表时间:
2007-05
期刊:
Applied Physics Letters
影响因子:
4
作者:
[Jiang, J., Zha, F. X., Yang, W. Y., Shao, Jun]
通讯作者:
Shao, Jun
Lattice thermal conductivity of Si nanowires:: Effect of modified phonon density of states
硅纳米线的晶格热导率:修改声子态密度的影响
DOI:
10.1063/1.2976314
发表时间:
2008-09-01
期刊:
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
影响因子:
3.2
作者:
[Lue, Xiang]
通讯作者:
Lue, Xiang
Modulated photoluminescence spectroscopy with a step-scan Fourier transform infrared spectrometer (vo 77, art no 063104, 2006)
使用步进扫描傅里叶变换红外光谱仪进行调制光致发光光谱(vo 77,货号 063104,2006)
DOI:
--
发表时间:
--
期刊:
Review of Scientific Instruments
影响因子:
1.6
作者:
[Yue, Fangyu, Shao, Jun, Lu, Xiang, Li, Zhifeng, Lu, Wei, Chu, Junhao, Guo, Shaoling]
通讯作者:
Guo, Shaoling
DOI:
10.1063/1.3280025
发表时间:
2010-01
期刊:
Journal of Applied Physics
影响因子:
3.2
作者:
[Jingji Zhang;J. Zhai;J. Wang;J. Shao;Xiang Lu;X. Yao]
通讯作者:
Jingji Zhang;J. Zhai;J. Wang;J. Shao;Xiang Lu;X. Yao
Photoreflectance spectroscopy with a step-scan Fourier-transform infrared spectrometer: Technique and applications
使用步进扫描傅里叶变换红外光谱仪的光反射光谱:技术和应用
DOI:
10.1063/1.2432269
发表时间:
2007-01-01
期刊:
REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS
影响因子:
1.6
作者:
[Shao, Jun, Lu, Wei, Chu, Junhao]
通讯作者:
Chu, Junhao
共 26 条
GaNAs/GaAs量子阱激子界面效应的磁光调制光谱研究
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批准号:11974368
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项目类别:面上项目
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资助金额:63.0万元
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批准年份:2019
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负责人:邵军
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依托单位:
HgCdTe面阵探测器材料均匀性的调制光致发光谱方法与机理
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批准号:61675224
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项目类别:面上项目
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资助金额:67.0万元
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批准年份:2016
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负责人:邵军
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依托单位:
稀铋量子阱界面效应与能带结构的调制光谱研究
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批准号:11274329
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项目类别:面上项目
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资助金额:95.0万元
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批准年份:2012
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负责人:邵军
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依托单位:
InAs/GaSb超晶格红外探测材料的调制光谱研究
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批准号:61176075
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项目类别:面上项目
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资助金额:73.0万元
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批准年份:2011
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负责人:邵军
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依托单位:
变条件集成红外调制光致发光谱实验系统
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批准号:10927404
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项目类别:专项基金项目
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资助金额:80.0万元
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批准年份:2009
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负责人:邵军
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依托单位:
(铝)镓铟磷量子阱中有序现象对有效质量和价带结构的影响
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批准号:60276006
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项目类别:面上项目
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资助金额:20.0万元
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批准年份:2002
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负责人:邵军
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依托单位:
国内基金
海外基金