硅基掺稀土离子的纳米硅/氧代硅体系发光
批准号:
50172001
项目类别:
面上项目
资助金额:
20.0 万元
负责人:
秦国刚
依托单位:
学科分类:
功能陶瓷
结题年份:
2004
批准年份:
2001
项目状态:
已结题
项目参与者:
付济时、张伯蕊、戴伦、乔永平、冉广照、陈源、张纪才
中文摘要
本项目拟研究硅基掺铒、镱、铥和铽等稀土元素离子的纳米硅/氧化硅体系的光致发光和电路⒐狻@醚趸柚谐叽绾兔芏榷己鲜实哪擅坠琛⒂行Ъせ罘⒐庀⊥猎乩胱雍凸膊舻确椒ù蠓忍岣吒锰逑档姆⒐庑省=档偷缰路⒐獾你兄档缪埂I杓朴行У募す庑痴袂唬厮鞴杌纛锏认⊥猎乩胱拥哪擅坠?氧化硅体系的光泵和电泵激光。
英文摘要
等离子体处理与高能电子辐照相结合激励Si和GaAs中杂质原子室温扩散
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批准号:11674004
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项目类别:面上项目
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资助金额:73.0万元
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批准年份:2016
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负责人:秦国刚
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依托单位:
室温辐照吸杂研究和应用于提高硅太阳电池效率的探索
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批准号:91433119
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项目类别:重大研究计划
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资助金额:100.0万元
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批准年份:2014
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负责人:秦国刚
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依托单位:
源自纳米半导体的高效率硅基电致发光
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批准号:11274017
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项目类别:面上项目
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资助金额:93.0万元
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批准年份:2012
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负责人:秦国刚
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依托单位:
以石墨烯为透明导电阳极的有机电致发光基础研究
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批准号:61176041
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项目类别:面上项目
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资助金额:74.0万元
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批准年份:2011
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负责人:秦国刚
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依托单位:
“硅基”在有机半导体发光和激光中的优势、特色和潜力
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批准号:10874011
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项目类别:面上项目
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资助金额:50.0万元
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批准年份:2008
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负责人:秦国刚
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依托单位:
硅基高效率电致发光和电泵激光材料基础研究
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批准号:50732001
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项目类别:重点项目
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资助金额:180.0万元
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批准年份:2007
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负责人:秦国刚
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依托单位:
含半导体纳米晶杂化材料体系发光中的能量转移
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批准号:10574008
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项目类别:面上项目
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资助金额:36.0万元
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批准年份:2005
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负责人:秦国刚
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依托单位:
硅/有机化合物杂化电致发光
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批准号:60476023
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项目类别:面上项目
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资助金额:25.0万元
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批准年份:2004
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负责人:秦国刚
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依托单位:
GaN中氢、碳和氧的行为和作用
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批准号:60076003
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项目类别:面上项目
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资助金额:20.0万元
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批准年份:2000
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负责人:秦国刚
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依托单位:
金属/含纳米硅或锗的超簿介质膜/硅电致发光的基础研究
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批准号:59772027
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项目类别:面上项目
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资助金额:8.0万元
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批准年份:1997
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负责人:秦国刚
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依托单位:
氮化镓系半导体中对发光有重要影响的杂质缺陷研究
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批准号:19674003
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项目类别:面上项目
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资助金额:10.0万元
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批准年份:1996
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负责人:秦国刚
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依托单位:
多孔硅材料的微结构和发光特性研究
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批准号:59432052
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项目类别:重点项目
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资助金额:16.0万元
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批准年份:1994
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负责人:秦国刚
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依托单位:
多孔硅材料与可见光发光
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批准号:59242006
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项目类别:专项基金项目
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资助金额:14.0万元
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批准年份:1992
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负责人:秦国刚
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依托单位:
硅与砷化镓中杂质间和缺陷间的相互作用
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批准号:68976017
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项目类别:面上项目
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资助金额:5.0万元
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批准年份:1989
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负责人:秦国刚
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依托单位:
半导体中亚稳态缺陷的研究
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批准号:68876104
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项目类别:面上项目
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资助金额:6.0万元
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批准年份:1988
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负责人:秦国刚
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依托单位:
砷化镓中深能级的综合研究
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批准号:18670708
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项目类别:面上项目
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资助金额:3.5万元
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批准年份:1986
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负责人:秦国刚
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依托单位:
国内基金
海外基金