硅基高效率电致发光和电泵激光材料基础研究
批准号:
50732001
项目类别:
重点项目
资助金额:
180.0 万元
负责人:
秦国刚
依托单位:
学科分类:
无机非金属半导体与信息功能材料
结题年份:
2011
批准年份:
2007
项目状态:
已结题
项目参与者:
戴伦、冉广照、段家忯、徐万劲、孙凯、陈挺、马仁敏、赵伟强、李延钊
中文摘要
信息科技发展要求以比现在远为更高的速度处理远为更大容量的信息,光子代替电子作为信息载体和微电子与微光子相结合是必然趋势。硅是微电子学的理想材料,如果硅基高效率电致发光和电泵激光问题得以解决,则硅也是微光电子学的理想材料。本项目拟深入研究三种硅基电致发光和电泵激光材料体系中一些关键性问题。这三种体系是:1.纳米硅/纳米氧化硅体系;2.硅为阳极兼作衬底的有机半导体体系;3.纳米化合物半导体/硅异质结。关键问题为:在这三个体系中优化电致发光和电泵激光结构及谐振腔;在第一体系中有效利用零维和一维纳米硅;在第二体系中优化硅阳极和出光阴极;在第三体系中优化纳米化合物半导体和异质结结构; 如何利用Foster和Dexter能量转移来提高电致发光效率等。研究在这些体系中实现高效率电致发光和电泵激光的途径。
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Blueshift electro- luminescence from single n-InP nanowire/p-Si heterojunctions due to Burstein-Moss effect
Burstein-Moss 效应导致单个 n-InP 纳米线/p-Si 异质结的蓝移电致发光
DOI:
--
发表时间:
--
期刊:
Nanotech.
影响因子:
--
作者:
[秦国刚]
通讯作者:
秦国刚
P-Zn3P2 single nanowire metal-semiconductor field-effect transistors
P-Zn3P2单纳米线金属半导体场效应晶体管
DOI:
10.1063/1.2960494
发表时间:
2008-08-01
期刊:
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
影响因子:
3.2
作者:
[Liu, C., Dai, L., Qin, G. G.]
通讯作者:
Qin, G. G.
DOI:
10.1109/lpt.2010.2050683
发表时间:
2010-05
期刊:
IEEE Photonics Technology Letters
影响因子:
2.6
作者:
[T. Hong;G. Ran;Ting Chen;Jiao-qing Pan;Wei-xi Chen;Yang Wang;Yuanbing Cheng;S. Liang;]
通讯作者:
T. Hong;G. Ran;Ting Chen;Jiao-qing Pan;Wei-xi Chen;Yang Wang;Yuanbing Cheng;S. Liang;
DOI:
10.1039/c1nr10392j
发表时间:
2011-08
期刊:
Nanoscale
影响因子:
6.7
作者:
[Y. Ye;Yaoguang Ma;Song Yue;L. Dai;Hu Meng;Zhi Li;L. Tong;G. Qin]
通讯作者:
Y. Ye;Yaoguang Ma;Song Yue;L. Dai;Hu Meng;Zhi Li;L. Tong;G. Qin
DOI:
--
发表时间:
--
期刊:
J. Phys.: Condens. Matter
影响因子:
--
作者:
[秦国刚]
通讯作者:
秦国刚
共 32 条
等离子体处理与高能电子辐照相结合激励Si和GaAs中杂质原子室温扩散
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批准号:11674004
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项目类别:面上项目
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资助金额:73.0万元
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批准年份:2016
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负责人:秦国刚
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依托单位:
室温辐照吸杂研究和应用于提高硅太阳电池效率的探索
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批准号:91433119
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项目类别:重大研究计划
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资助金额:100.0万元
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批准年份:2014
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负责人:秦国刚
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依托单位:
源自纳米半导体的高效率硅基电致发光
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批准号:11274017
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项目类别:面上项目
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资助金额:93.0万元
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批准年份:2012
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负责人:秦国刚
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依托单位:
以石墨烯为透明导电阳极的有机电致发光基础研究
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批准号:61176041
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项目类别:面上项目
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资助金额:74.0万元
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批准年份:2011
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负责人:秦国刚
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依托单位:
“硅基”在有机半导体发光和激光中的优势、特色和潜力
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批准号:10874011
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项目类别:面上项目
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资助金额:50.0万元
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批准年份:2008
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负责人:秦国刚
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依托单位:
含半导体纳米晶杂化材料体系发光中的能量转移
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批准号:10574008
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项目类别:面上项目
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资助金额:36.0万元
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批准年份:2005
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负责人:秦国刚
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依托单位:
硅/有机化合物杂化电致发光
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批准号:60476023
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项目类别:面上项目
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资助金额:25.0万元
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批准年份:2004
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负责人:秦国刚
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依托单位:
硅基掺稀土离子的纳米硅/氧代硅体系发光
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批准号:50172001
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项目类别:面上项目
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资助金额:20.0万元
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批准年份:2001
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负责人:秦国刚
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依托单位:
GaN中氢、碳和氧的行为和作用
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批准号:60076003
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项目类别:面上项目
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资助金额:20.0万元
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批准年份:2000
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负责人:秦国刚
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依托单位:
金属/含纳米硅或锗的超簿介质膜/硅电致发光的基础研究
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批准号:59772027
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项目类别:面上项目
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资助金额:8.0万元
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批准年份:1997
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负责人:秦国刚
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依托单位:
氮化镓系半导体中对发光有重要影响的杂质缺陷研究
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批准号:19674003
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项目类别:面上项目
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资助金额:10.0万元
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批准年份:1996
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负责人:秦国刚
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依托单位:
多孔硅材料的微结构和发光特性研究
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批准号:59432052
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项目类别:重点项目
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资助金额:16.0万元
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批准年份:1994
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负责人:秦国刚
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依托单位:
多孔硅材料与可见光发光
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批准号:59242006
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项目类别:专项基金项目
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资助金额:14.0万元
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批准年份:1992
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负责人:秦国刚
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依托单位:
硅与砷化镓中杂质间和缺陷间的相互作用
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批准号:68976017
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项目类别:面上项目
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资助金额:5.0万元
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批准年份:1989
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负责人:秦国刚
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依托单位:
半导体中亚稳态缺陷的研究
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批准号:68876104
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项目类别:面上项目
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资助金额:6.0万元
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批准年份:1988
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负责人:秦国刚
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依托单位:
砷化镓中深能级的综合研究
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批准号:18670708
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项目类别:面上项目
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资助金额:3.5万元
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批准年份:1986
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负责人:秦国刚
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依托单位:
国内基金
海外基金