含半导体纳米晶杂化材料体系发光中的能量转移
批准号:
10574008
项目类别:
面上项目
资助金额:
36.0 万元
负责人:
秦国刚
依托单位:
学科分类:
光谱学与固体发光
结题年份:
2008
批准年份:
2005
项目状态:
已结题
项目参与者:
乔永平、马国立、霍海滨、赵伟强、陈挺、孙凯
中文摘要
半导体纳米晶作为能量施主或能量受主可在发光的能量转移过程中起重要作用。例如最近文献上报导:激发能量可以从量子阱转移到量子点,也可从有机化合物转移到量子点,最终光发射则发生在量子点中。研究半导体纳米晶在能量转移中的作用对于设计高效率光致发光和电致发光、光泵激光以至电泵激光创新原型器件包括微/纳尺寸的这些器件都有重要意义。本项目拟重点研究半导体纳米晶(施主)/有机半导体(受主),有机半导体(施主)/半导体纳米晶(受主)和硅纳米晶(施主)/氧化硅发光中心(受主)等杂化发光材料体系中的能量转移过程和半导体纳米晶在这些过程中的作用,揭示其物理本质,为设计创新的高效率发光和激光材料和原型器件作理论储备。
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escence froColor tuning of photoluminm ZnS nanobelts synthesized with Cu and Mn doping and without intentionally doping,
用 Cu 和 Mn 掺杂以及无有意掺杂合成的光致发光 ZnS 纳米带的发光颜色调谐,
DOI:
--
发表时间:
--
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
DOI:
10.1088/0953-8984/21/1/012204
发表时间:
2009-01
期刊:
Journal of Physics: Condensed Matter
影响因子:
--
作者:
[Yang Yin;Kai Sun;Wanjin Xu;G. Ran;G. G. Qin-G.;G. G. Qin-G.;S. Wang;C. Wang]
通讯作者:
Yang Yin;Kai Sun;Wanjin Xu;G. Ran;G. G. Qin-G.;G. G. Qin-G.;S. Wang;C. Wang
DOI:
10.1364/oe.16.005158
发表时间:
2008-03
期刊:
Optics express
影响因子:
3.8
作者:
[W. Zhao;G. Ran;Z. W. Liu;Z. Bian;K. Sun;W. Xu;C. Huang;G. Qin]
通讯作者:
W. Zhao;G. Ran;Z. W. Liu;Z. Bian;K. Sun;W. Xu;C. Huang;G. Qin
Strong enhancement of Er3+ 1.54 μm lectroluminescence through amorphousSi nanoparticles,
通过非晶硅纳米颗粒强烈增强 Er3 1.54 μm 电致发光,
DOI:
--
发表时间:
--
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
DOI:
10.1063/1.2387982
发表时间:
2006-11
期刊:
Applied Physics Letters
影响因子:
4
作者:
[R. Ma;L. Dai;H. Huo;Wen-Xing Yang;G. Qin;P. Tan;C. Huang;J. Zheng]
通讯作者:
R. Ma;L. Dai;H. Huo;Wen-Xing Yang;G. Qin;P. Tan;C. Huang;J. Zheng
共 15 条
等离子体处理与高能电子辐照相结合激励Si和GaAs中杂质原子室温扩散
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批准号:11674004
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项目类别:面上项目
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资助金额:73.0万元
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批准年份:2016
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负责人:秦国刚
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依托单位:
室温辐照吸杂研究和应用于提高硅太阳电池效率的探索
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批准号:91433119
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项目类别:重大研究计划
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资助金额:100.0万元
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批准年份:2014
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负责人:秦国刚
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依托单位:
源自纳米半导体的高效率硅基电致发光
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批准号:11274017
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项目类别:面上项目
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资助金额:93.0万元
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批准年份:2012
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负责人:秦国刚
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依托单位:
以石墨烯为透明导电阳极的有机电致发光基础研究
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批准号:61176041
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项目类别:面上项目
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资助金额:74.0万元
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批准年份:2011
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负责人:秦国刚
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依托单位:
“硅基”在有机半导体发光和激光中的优势、特色和潜力
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批准号:10874011
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项目类别:面上项目
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资助金额:50.0万元
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批准年份:2008
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负责人:秦国刚
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依托单位:
硅基高效率电致发光和电泵激光材料基础研究
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批准号:50732001
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项目类别:重点项目
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资助金额:180.0万元
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批准年份:2007
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负责人:秦国刚
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依托单位:
硅/有机化合物杂化电致发光
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批准号:60476023
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项目类别:面上项目
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资助金额:25.0万元
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批准年份:2004
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负责人:秦国刚
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依托单位:
硅基掺稀土离子的纳米硅/氧代硅体系发光
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批准号:50172001
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项目类别:面上项目
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资助金额:20.0万元
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批准年份:2001
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负责人:秦国刚
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依托单位:
GaN中氢、碳和氧的行为和作用
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批准号:60076003
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项目类别:面上项目
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资助金额:20.0万元
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批准年份:2000
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负责人:秦国刚
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依托单位:
金属/含纳米硅或锗的超簿介质膜/硅电致发光的基础研究
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批准号:59772027
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项目类别:面上项目
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资助金额:8.0万元
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批准年份:1997
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负责人:秦国刚
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依托单位:
氮化镓系半导体中对发光有重要影响的杂质缺陷研究
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批准号:19674003
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项目类别:面上项目
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资助金额:10.0万元
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批准年份:1996
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负责人:秦国刚
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依托单位:
多孔硅材料的微结构和发光特性研究
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批准号:59432052
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项目类别:重点项目
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资助金额:16.0万元
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批准年份:1994
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负责人:秦国刚
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依托单位:
多孔硅材料与可见光发光
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批准号:59242006
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项目类别:专项基金项目
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资助金额:14.0万元
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批准年份:1992
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负责人:秦国刚
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依托单位:
硅与砷化镓中杂质间和缺陷间的相互作用
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批准号:68976017
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项目类别:面上项目
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资助金额:5.0万元
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批准年份:1989
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负责人:秦国刚
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依托单位:
半导体中亚稳态缺陷的研究
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批准号:68876104
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项目类别:面上项目
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资助金额:6.0万元
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批准年份:1988
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负责人:秦国刚
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依托单位:
砷化镓中深能级的综合研究
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批准号:18670708
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项目类别:面上项目
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资助金额:3.5万元
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批准年份:1986
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负责人:秦国刚
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依托单位:
国内基金
海外基金