以石墨烯为透明导电阳极的有机电致发光基础研究
批准号:
61176041
项目类别:
面上项目
资助金额:
74.0 万元
负责人:
秦国刚
依托单位:
学科分类:
半导体光电子器件与集成
结题年份:
2015
批准年份:
2011
项目状态:
已结题
项目参与者:
徐万劲、魏峰、孙拓、孟虎、秦来香
中文摘要
本项目探索以石墨烯代替铟锡氧化物(ITO)为透明导电阳极的有机电致发光。目前絕大部分有机电致发光以ITO为阳极材料,但ITO有资源稀缺等不足。制备大面积的均匀石墨烯材料并通过掺杂控制其载流子浓度与通过生长与转移控制石墨烯层数, 石墨烯很可能成为有机电致发光优越的透明导电阳极材料。拟采用的提高石墨烯阳极有机电致发光效率的主要措施:1)研究并改善石墨烯阳极与有机空穴转输材料之间的界面与接触;2)在保证石墨烯阳极有足够高的透光率和足够低的方块电阻的条件下,调控石墨烯阳极载流子浓度和层数,使阳极的空穴注入流与阴极的电子注入流相匹配。与ITO阳极相比较, 石墨烯阳极的优势是:资源丰富,载流子浓度可控, 透光性能更好。与薄膜微晶硅阳极相比较, 石墨烯阳极的优势是:本身是迁移率很高的薄膜单晶材料,方块电阻可以更低,透光性能更好. 折射率较低。
英文摘要
摘要:石墨烯这个人类首次获得的严格意义下的二维材料因具有出众的物理特性而成为被普遍关注的新型优异光电子材料。它非常合适作为电致发光器件的电极。本项目原订的研究目标都已经完成。有两方面成果比较突出。1.在我们之前,文献上以石墨烯为阳极的研究中,都是首先在Cu、Ni等衬底上生长石墨烯,然后将石墨烯转移到发光二极管衬底上而成为阳极的。我们首次提出并实现在Cu衬底上生长石墨烯,不经转移,在Cu/石墨烯复合阳极上制备出有机高效率发光二极管。利用Cu具有很高的导电率,实现了方块电阻极低(10-3-10-4 Ω/ sq )的Cu/石墨烯复合阳极。其方块电阻比ITO阳极低4-5个量级,比石墨烯阳极低5-7个量级,从而实现了高效率发光。论文发表在影响因子大于10的Adv. Funct. Mater.上。2. 由于石墨烯的功函数较高(~4.3 eV),文献上虽有许多石墨烯作为电致发光二极管阳极的报导,但罕见有石墨烯作为电致发光二极管阴极的报导。我们首次通过采用Bphen:Cs2CO3修饰石墨烯,使功函数从4.27eV降为3.47 eV,加上其他创新,实现了以石墨烯为透明阴极的高效率有机电致发光二极管。在此基础上,我们又实现了采用石墨烯作为透明阴极又作为透明阳极的全透明有机电致发光二极管,相关论文正在撰写中。
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DOI:
10.1109/lpt.2012.2203799
发表时间:
2012-06
期刊:
IEEE Photonics Technology Letters
影响因子:
2.6
作者:
[B. Niu;Yanping Li;T. Hong;Wei-xi Chen;S. Liang;Jiao-qing Pan;J. Qiu;Chong Wang;G. Ran;Lingjuan Zhao;G. Qin;Wei Wang]
通讯作者:
B. Niu;Yanping Li;T. Hong;Wei-xi Chen;S. Liang;Jiao-qing Pan;J. Qiu;Chong Wang;G. Ran;Lingjuan Zhao;G. Qin;Wei Wang
Top-Emission Organic Light-Emitting Diode with a Novel Copper/Graphene Composite Anode
具有新型铜/石墨烯复合阳极的顶发射有机发光二极管
DOI:
10.1002/adfm.201203283
发表时间:
2013-07-12
期刊:
ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS
影响因子:
19
作者:
[Meng, Hu, Luo, Jianxing, Qin, Guogang]
通讯作者:
Qin, Guogang
Electron-irradiated n+-Si as hole injection tunable anode of organic light-emitting diode
电子辐照n-Si作为有机发光二极管空穴注入可调阳极
DOI:
10.1007/s00340-012-5255-7
发表时间:
2013
期刊:
Applied Physics B: Lasers and Optics
影响因子:
--
作者:
[Y. Z. Li, Z. L. Wang, Y. Z. Wang, H. Luo]
通讯作者:
H. Luo
A Bonding InGaAsP/ITO/Si Hybrid Laser with ITO as Cathode and Light Coupling Material
以ITO为阴极和光耦合材料的键合InGaAsP/ITO/Si混合激光器
DOI:
--
发表时间:
2012
期刊:
IEEE Photonics Technology Letters
影响因子:
2.6
作者:
[S. Liang, Y. Wang, J.Q. Pan, W. Wang]
通讯作者:
W. Wang
DOI:
10.1007/s12598-016-0720-9
发表时间:
2016-05
期刊:
Rare Metals
影响因子:
8.8
作者:
[Jian-Xing Luo;Wei Wang;Hu Meng;Wanxin Xu;G. Qin]
通讯作者:
Jian-Xing Luo;Wei Wang;Hu Meng;Wanxin Xu;G. Qin
共 7 条
等离子体处理与高能电子辐照相结合激励Si和GaAs中杂质原子室温扩散
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批准号:11674004
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项目类别:面上项目
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资助金额:73.0万元
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批准年份:2016
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负责人:秦国刚
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依托单位:
室温辐照吸杂研究和应用于提高硅太阳电池效率的探索
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批准号:91433119
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项目类别:重大研究计划
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资助金额:100.0万元
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批准年份:2014
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负责人:秦国刚
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依托单位:
源自纳米半导体的高效率硅基电致发光
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批准号:11274017
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项目类别:面上项目
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资助金额:93.0万元
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批准年份:2012
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负责人:秦国刚
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依托单位:
“硅基”在有机半导体发光和激光中的优势、特色和潜力
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批准号:10874011
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项目类别:面上项目
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资助金额:50.0万元
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批准年份:2008
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负责人:秦国刚
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依托单位:
硅基高效率电致发光和电泵激光材料基础研究
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批准号:50732001
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项目类别:重点项目
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资助金额:180.0万元
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批准年份:2007
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负责人:秦国刚
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依托单位:
含半导体纳米晶杂化材料体系发光中的能量转移
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批准号:10574008
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项目类别:面上项目
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资助金额:36.0万元
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批准年份:2005
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负责人:秦国刚
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依托单位:
硅/有机化合物杂化电致发光
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批准号:60476023
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项目类别:面上项目
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资助金额:25.0万元
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批准年份:2004
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负责人:秦国刚
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依托单位:
硅基掺稀土离子的纳米硅/氧代硅体系发光
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批准号:50172001
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项目类别:面上项目
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资助金额:20.0万元
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批准年份:2001
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负责人:秦国刚
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依托单位:
GaN中氢、碳和氧的行为和作用
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批准号:60076003
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项目类别:面上项目
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资助金额:20.0万元
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批准年份:2000
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负责人:秦国刚
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依托单位:
金属/含纳米硅或锗的超簿介质膜/硅电致发光的基础研究
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批准号:59772027
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项目类别:面上项目
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资助金额:8.0万元
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批准年份:1997
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负责人:秦国刚
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依托单位:
氮化镓系半导体中对发光有重要影响的杂质缺陷研究
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批准号:19674003
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项目类别:面上项目
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资助金额:10.0万元
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批准年份:1996
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负责人:秦国刚
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依托单位:
多孔硅材料的微结构和发光特性研究
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批准号:59432052
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项目类别:重点项目
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资助金额:16.0万元
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批准年份:1994
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负责人:秦国刚
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依托单位:
多孔硅材料与可见光发光
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批准号:59242006
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项目类别:专项基金项目
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资助金额:14.0万元
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批准年份:1992
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负责人:秦国刚
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依托单位:
硅与砷化镓中杂质间和缺陷间的相互作用
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批准号:68976017
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项目类别:面上项目
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资助金额:5.0万元
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批准年份:1989
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负责人:秦国刚
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依托单位:
半导体中亚稳态缺陷的研究
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批准号:68876104
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项目类别:面上项目
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资助金额:6.0万元
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批准年份:1988
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负责人:秦国刚
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依托单位:
砷化镓中深能级的综合研究
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批准号:18670708
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项目类别:面上项目
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资助金额:3.5万元
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批准年份:1986
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负责人:秦国刚
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依托单位:
国内基金
海外基金