“硅基”在有机半导体发光和激光中的优势、特色和潜力
批准号:
10874011
项目类别:
面上项目
资助金额:
50.0 万元
负责人:
秦国刚
依托单位:
学科分类:
光谱学与固体发光
结题年份:
2011
批准年份:
2008
项目状态:
已结题
项目参与者:
陈挺、李延钊、洪涛、尹扬
中文摘要
有机半导体电致发光具有发光效率高,稳定性好,可制备在柔性衬底上等许多优点。通常有机半导体电致发光以ITO为阳极。本项目拟在前五年研究所取得的成果的基础上进一步深入研究以硅为阳极兼作衬底的有机半导体电致发光。第一个目标是:从物理上阐明与通常的有机半导体电致发光相比,"硅基"究竟具有什么优势、特色和潜力?研究重点在于: 提高电致发光的效率和在脉冲条件下提高电致发光的功率。另外,早在1996年,国际上就实现了有机半导体固态光泵激光,但迄今未能实现在应用上远为更重要的有机半导体电泵激光。本项目的第二个目标是探索如何在硅上实现有机半导体间接电泵激光。在研究硅基有机半导体高脉冲功率电致发光的基础上探索硅基有机半导体间接电泵激光的关键物理问题和"硅基"在间接有机电泵激光方面的优势、特色和潜力。
英文摘要
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DOI:
10.1109/lpt.2010.2050683
发表时间:
2010-05
期刊:
IEEE Photonics Technology Letters
影响因子:
2.6
作者:
[T. Hong;G. Ran;Ting Chen;Jiao-qing Pan;Wei-xi Chen;Yang Wang;Yuanbing Cheng;S. Liang;]
通讯作者:
T. Hong;G. Ran;Ting Chen;Jiao-qing Pan;Wei-xi Chen;Yang Wang;Yuanbing Cheng;S. Liang;
DOI:
10.1039/c1nr10392j
发表时间:
2011-08
期刊:
Nanoscale
影响因子:
6.7
作者:
[Y. Ye;Yaoguang Ma;Song Yue;L. Dai;Hu Meng;Zhi Li;L. Tong;G. Qin]
通讯作者:
Y. Ye;Yaoguang Ma;Song Yue;L. Dai;Hu Meng;Zhi Li;L. Tong;G. Qin
DOI:
10.1088/0256-307x/26/6/064211
发表时间:
2009-06
期刊:
Chinese Physics Letters
影响因子:
3.5
作者:
[Chen Ting;Hong-shuai Tao;Pan Jiao-Qing;Chen Weixi;Cheng Yuan-bing;Wang Yang;Ma Xiao-Bo;Liu Weili;Zhao Lingjuan;Ran Guangzhao;Wang Wei;Qin Guogang]
通讯作者:
Chen Ting;Hong-shuai Tao;Pan Jiao-Qing;Chen Weixi;Cheng Yuan-bing;Wang Yang;Ma Xiao-Bo;Liu Weili;Zhao Lingjuan;Ran Guangzhao;Wang Wei;Qin Guogang
DOI:
10.1166/jnn.2010.2033
发表时间:
2010-03
期刊:
Journal of nanoscience and nanotechnology
影响因子:
--
作者:
[G. Qin;G. Ran;K. Sun;H. J. Xu]
通讯作者:
G. Qin;G. Ran;K. Sun;H. J. Xu
DOI:
10.1142/s1793604711002019
发表时间:
2011-09
期刊:
Functional Materials Letters
影响因子:
1.3
作者:
[Yangzhi Yin;Wanjin Xu;G. Ran;G. Qin;Bin Zhang]
通讯作者:
Yangzhi Yin;Wanjin Xu;G. Ran;G. Qin;Bin Zhang
共 24 条
等离子体处理与高能电子辐照相结合激励Si和GaAs中杂质原子室温扩散
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批准号:11674004
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项目类别:面上项目
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资助金额:73.0万元
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批准年份:2016
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负责人:秦国刚
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依托单位:
室温辐照吸杂研究和应用于提高硅太阳电池效率的探索
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批准号:91433119
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项目类别:重大研究计划
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资助金额:100.0万元
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批准年份:2014
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负责人:秦国刚
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依托单位:
源自纳米半导体的高效率硅基电致发光
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批准号:11274017
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项目类别:面上项目
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资助金额:93.0万元
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批准年份:2012
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负责人:秦国刚
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依托单位:
以石墨烯为透明导电阳极的有机电致发光基础研究
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批准号:61176041
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项目类别:面上项目
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资助金额:74.0万元
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批准年份:2011
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负责人:秦国刚
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依托单位:
硅基高效率电致发光和电泵激光材料基础研究
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批准号:50732001
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项目类别:重点项目
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资助金额:180.0万元
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批准年份:2007
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负责人:秦国刚
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依托单位:
含半导体纳米晶杂化材料体系发光中的能量转移
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批准号:10574008
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项目类别:面上项目
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资助金额:36.0万元
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批准年份:2005
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负责人:秦国刚
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依托单位:
硅/有机化合物杂化电致发光
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批准号:60476023
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项目类别:面上项目
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资助金额:25.0万元
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批准年份:2004
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负责人:秦国刚
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依托单位:
硅基掺稀土离子的纳米硅/氧代硅体系发光
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批准号:50172001
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项目类别:面上项目
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资助金额:20.0万元
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批准年份:2001
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负责人:秦国刚
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依托单位:
GaN中氢、碳和氧的行为和作用
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批准号:60076003
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项目类别:面上项目
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资助金额:20.0万元
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批准年份:2000
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负责人:秦国刚
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依托单位:
金属/含纳米硅或锗的超簿介质膜/硅电致发光的基础研究
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批准号:59772027
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项目类别:面上项目
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资助金额:8.0万元
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批准年份:1997
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负责人:秦国刚
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依托单位:
氮化镓系半导体中对发光有重要影响的杂质缺陷研究
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批准号:19674003
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项目类别:面上项目
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资助金额:10.0万元
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批准年份:1996
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负责人:秦国刚
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依托单位:
多孔硅材料的微结构和发光特性研究
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批准号:59432052
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项目类别:重点项目
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资助金额:16.0万元
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批准年份:1994
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负责人:秦国刚
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依托单位:
多孔硅材料与可见光发光
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批准号:59242006
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项目类别:专项基金项目
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资助金额:14.0万元
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批准年份:1992
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负责人:秦国刚
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依托单位:
硅与砷化镓中杂质间和缺陷间的相互作用
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批准号:68976017
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项目类别:面上项目
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资助金额:5.0万元
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批准年份:1989
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负责人:秦国刚
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依托单位:
半导体中亚稳态缺陷的研究
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批准号:68876104
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项目类别:面上项目
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资助金额:6.0万元
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批准年份:1988
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负责人:秦国刚
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依托单位:
砷化镓中深能级的综合研究
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批准号:18670708
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项目类别:面上项目
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资助金额:3.5万元
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批准年份:1986
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负责人:秦国刚
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依托单位:
国内基金
海外基金