以碳化硅功率器件为对象，研究碳化硅肖特基功率二极管（SiC-SBD）和碳化硅功率MOSFET器件的关键科学问题。通过碳化硅肖特基功率二极管中的势垒结构的研究，提出新的碳化硅SBD结构，降低正向导通电压的同时降低反向漏电流。碳化硅功率MOSFET器件研究的目标是通过理论分析和模型验证，研究栅氧层的击穿问题和沟道电阻问题。