车规级碳化硅功率器件理论与设计方法研究
批准号：
D24F040003
项目类别：
省市级项目
资助金额：
--
负责人：
盛况
依托单位：
浙江大学
学科分类：
E01.金属材料
结题年份：
--
批准年份：
2024
项目状态：
未结题
项目参与者：
盛况
关键词：
碳化硅功率器件 栅极氧化层 金属/氧化物/半导体界面 漂移区 击穿电压
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突破一维电阻极限的碳化硅单极型高压器件基础研究
  • 批准号：
    U1766222
  • 项目类别：
    联合基金项目
  • 资助金额：
    245.0万元
  • 批准年份：
    2017
  • 负责人：
    盛况
  • 依托单位：
    浙江大学
碳化硅高深宽比沟槽型超级结器件基础技术研究
  • 批准号：
    51777187
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    63.0万元
  • 批准年份：
    2017
  • 负责人：
    盛况
  • 依托单位：
    浙江大学
碳化硅肖特基功率二极管和功率MOSFET器件关键技术研究
  • 批准号：
    51047003
  • 项目类别：
    专项基金项目
  • 资助金额：
    10.0万元
  • 批准年份：
    2010
  • 负责人：
    盛况
  • 依托单位：
    浙江大学
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