A 0. 56-V 128kb 10T SRAM Using Column Line Assist (CLA) Scheme
A 0. 56-V 128kb 10T SRAM Using Column Line Assist (CLA) Scheme
复制标题
采用列线辅助 (CLA) 方案的 0. 56V 128kb 10T SRAM
DOI：
--
复制
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
S. Okumura
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Mingjie Zheng;Yusuke Ogura;and Jun Tanida;高田裕司;S. Okumura
登录
查看更多内容
具有分割字线结构的 64Kb 全 CMOS RAM
DOI：
10.1109/isscc.1983.1156503
发表时间：
1983
期刊：
1983 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers
影响因子：
--
作者：
Masahiko Yoshimoto;K. Anami;Hirofumi Shinohara;Tsutomu Yoshihara;H. Takagi;S. Nagao;S. Kayano;T. Nakano
通讯作者：
T. Nakano
采用 65nm 超低功耗 CMOS 的 1.1GHz 12μA/Mb 漏电流 SRAM 设计，具有适用于移动应用的集成漏电流减少功能
DOI：
10.1109/isscc.2007.373425
发表时间：
2007
期刊：
2007 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers
影响因子：
--
作者：
Yih Wang;H. Ahn;U. Bhattacharya;T. Coan;F. Hamzaoglu;W. Hafez;C. Jan;P. Kolar;S. Kulkarni;Jie;Yong;I. Post;Liqiong Wei;Yih Zhang;Kevin Zhang;M. Bohr
通讯作者：
M. Bohr
具有数据独立位线泄漏和虚拟接地副本方案的高密度亚阈值 SRAM
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
2007 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers
影响因子：
--
作者：
T. T. Kim;Jason Liu;J. Keane;C. Kim
通讯作者：
C. Kim
适用于太阳能供电便携式个人数字设备的 0.5V 25MHz 1mW 256kb MTCMOS/SOI SRAM - 通过使用降压负过驱动位线方案确保写入操作
影响因子：
5.4
作者：
N. Shibata;Hiroshi Kiya;Shigehiro Kurita;Hidetaka Okamoto;Masa'aki Tan'no;T. Douseki
通讯作者：
T. Douseki