Silicide Formation on Si and Si_<1-x-y>Ge_xC_y
Silicide Formation on Si and Si_<1-x-y>Ge_xC_y
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Si 和 Si_<1-x-y>Ge_xC_y 上硅化物的形成
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Y.Yasuda
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
O.Nakatsuka;A.Sakai;S.Zaima;Y.Yasuda
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NiSi 薄膜的高温降解：团聚与 NiSi2 成核
影响因子：
3.2
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通讯作者：
C. Lavoie
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6
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通讯作者：
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通讯作者：
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DOI：
10.1016/j.mee.2013.12.014
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
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通讯作者：
D. Mangelinck
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作者：
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通讯作者：
A. Portavoce