High-quality poly-crystalline silicon films with minority carrier lifetimes over 5μs formed by flash lamp annealing of precursor amorphous Si films prepared by catalytic chemical vapor deposition
High-quality poly-crystalline silicon films with minority carrier lifetimes over 5μs formed by flash lamp annealing of precursor amorphous Si films prepared by catalytic chemical vapor deposition
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对催化化学气相沉积制备的前驱非晶硅薄膜进行闪光灯退火，形成少数载流子寿命超过5μs的高质量多晶硅薄膜
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and K. Nakajima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Ohdaira;S. Nishizaki;Y;Endo;T. Fujiwara;H. matsumura;N. Usami;and K. Nakajima
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