Atomically Flat Gate Insulator / Silicon (100) Interface Formation Technology for High Performance LSI
Atomically Flat Gate Insulator / Silicon (100) Interface Formation Technology for High Performance LSI
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用于高性能LSI的原子平栅绝缘体/硅(100)界面形成技术
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Akinobu Teramoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takahiro Fuse;Yoshiaki Ono;Akinobu Teramoto
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DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
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通讯作者：
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DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
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作者：
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通讯作者：
M. Hirasawa