InSb quantum dots for the mid-infrared spectral range grown on GaAs substrates using metamorphic InAs buffer layers
InSb quantum dots for the mid-infrared spectral range grown on GaAs substrates using metamorphic InAs buffer layers
复制标题
使用变质 InAs 缓冲层在 GaAs 基板上生长的中红外光谱范围的 InSb 量子点
DOI：
10.1088/0268-1242/29/7/075011
复制
发表时间：
2014
影响因子：
1.9
通讯作者：
Lu Q
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Lu Q
使用三种不同的变质缓冲层 (MBL) 设计，在 GaAs 衬底上成功生长了 II 型 InSb/InAs 量子点 (QD)。使用截面透射电子显微镜和高分辨率 X 射线衍射测量来研究和比较所得变质 InAs 缓冲层的结构特性。从每个样品中观察到源自 InSb QD 的光致发光 (PL)，并且发现其与生长在同质外延沉积的 InAs 上的 InSb QD 的 PL 相当。事实证明，直接沉积在 GaAs 上的 3 µm 厚 InAs 缓冲层上生长的 InSb QD 的 4 K PL 强度和线宽优于使用 AlSb 或 GaSb 中间层在 InAs MBL 上生长的 QD。随后在有源区域中制造了包含十层 InSb QD 的发光二极管结构，并在高达 180 K 的中红外光谱范围内获得了 QD 的电致发光。这是在 GaAs 衬底上获得中红外 InSb QD 光源的第一步。
Type II InSb/InAs quantum dots (QDs) were successfully grown on GaAs substrates using three different metamorphic buffer layer (MBL) designs. The structural properties of the resulting metamorphic InAs buffer layers were studied and compared using cross-sectional transmission electron microscopy and high resolution x-ray diffraction measurements. Photoluminescence (PL) originating from the InSb QDs was observed from each of the samples and was found to be comparable to the PL of InSb QDs grown onto homo-epitaxially deposited InAs. The 4 K PL intensity and linewidth of InSb QDs grown onto a 3 µm thick InAs buffer layer directly deposited onto GaAs proved to be superior to that from QDs grown onto an InAs MBL using either AlSb or GaSb interlayers. Light-emitting diode structures containing ten layers of InSb QD in the active region were subsequently fabricated and electroluminescence from the QDs was obtained in the mid-infrared spectral range up to 180 K. This is the first step towards obtaining mid-infrared InSb QD light sources on GaAs substrates.
登录
查看更多内容
DOI：
10.1023/a:1023350529729
发表时间：
2003-04
期刊：
Journal of Materials Science Letters
影响因子：
--
作者：
L. Cai;H. Chen;C. Bao;Q. Huang;J. Zhou
通讯作者：
L. Cai;H. Chen;C. Bao;Q. Huang;J. Zhou
DOI：
10.1016/j.mejo.2008.06.058
发表时间：
2009-03
期刊：
Microelectron. J.
影响因子：
--
作者：
P. Carrington;V. A. Solov'ev;Q. Zhuang;S. Ivanov;A. Krier
通讯作者：
P. Carrington;V. A. Solov'ev;Q. Zhuang;S. Ivanov;A. Krier
影响因子：
3.2
作者：
Yi Wang;P. Ruterana;L. Desplanque;S. E. Kazzi;X. Wallart
通讯作者：
Yi Wang;P. Ruterana;L. Desplanque;S. E. Kazzi;X. Wallart
DOI：
10.1088/0022-3727/41/23/232003
发表时间：
2008-12
期刊：
Journal of Physics D: Applied Physics
影响因子：
--
作者：
Q. Zhuang;P. Carrington;A. Krier
通讯作者：
Q. Zhuang;P. Carrington;A. Krier
DOI：
10.1088/0022-3727/34/6/307
发表时间：
2001-03
期刊：
Journal of Physics D
影响因子：
--
作者：
A. Krier;X. L. Huang;A. Hammiche
通讯作者：
A. Krier;X. L. Huang;A. Hammiche