Optical processes of red emission from Eu doped GaN
Optical processes of red emission from Eu doped GaN
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Eu 掺杂 GaN 红光发射的光学过程
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and K. Akimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Sawahata;H. Bang;J. Seo;and K. Akimoto
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低压GaN:Er绿色电致发光器件
DOI：
10.1063/1.126033
发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
--
作者：
J. Heikenfeld;Dong‐Seon Lee;M. Garter;R. Birkhahn;A. Steckl
通讯作者：
A. Steckl
分子束外延生长稀土 (Yb,Er) 掺杂 GaAs 的光学和电学特性
DOI：
10.1063/1.356000
发表时间：
1994
期刊：
影响因子：
--
作者：
D. Seghier;T. Benyattou;A. Kalboussi;S. Monéger;G. Marrakchi;G. Guillot;B. Lambert;A. Guivarc’h
通讯作者：
A. Guivarc’h
Eu 掺杂 GaN 的生长和 MIS 结构的电致发光
DOI：
--
发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Morishima;T. Maruyama;M. Tanaka;K. Akimoto
通讯作者：
K. Akimoto
III-V族半导体中稀土发光中心的陷阱能级特征
影响因子：
3.2
作者：
A. Taguchi;K. Takahei
通讯作者：
K. Takahei
金属有机分子束外延生长过程中 AlN 的 Er 掺杂
DOI：
10.1063/1.116887
发表时间：
1996
期刊：
影响因子：
--
作者：
J. MacKenzie;C. Abernathy;S. Pearton;U. Hommerich;X. Wu;R. Schwartz;R. Wilson;J. Zavada
通讯作者：
J. Zavada