Direct Fabrication of Uniform and High Density Sub-10-nm Etching Mask Using Ferritin Molecules on Si and GaAs Surface for Actual Quantum-Dot Superlattice
Direct Fabrication of Uniform and High Density Sub-10-nm Etching Mask Using Ferritin Molecules on Si and GaAs Surface for Actual Quantum-Dot Superlattice
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使用 Si 和 GaAs 表面上的铁蛋白分子直接制造均匀、高密度的亚 10 nm 蚀刻掩模，用于实际的量子点超晶格
DOI：
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发表时间：
2011
影响因子：
2.3
通讯作者：
and S. Samukawa
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Igarashi;R. Tsukamoto;C.-H. Huang;I. Yamashita;and S. Samukawa
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影响因子：
2.9
作者：
Samukawa, S;Sakamoto, K;Ichiki, K
通讯作者：
Ichiki, K
影响因子：
4
作者：
ARAKAWA, Y;SAKAKI, H
通讯作者：
SAKAKI, H
通过中性束氧化对三维结构进行低温、与束流方向相关、与晶格平面无关且无损伤的氧化
影响因子：
1.5
作者：
Masahiro Yonemoto;T. Ikoma;Keisuke Sano;K. Endo;T. Matsukawa;M. Masahara;S. Samukawa
通讯作者：
S. Samukawa
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影响因子：
1.4
作者：
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通讯作者：
M. J. Graham
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影响因子：
1.5
作者：
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通讯作者：
S. Samukawa