Die Leerstelle in Silizium - Bildungsethalpie und ihr Beitrag zur Selbstdiffusion

Jüngste Daten zur Selbst在同位素中的自扩散，从Tiefenprofile Analyst Mittels Sekundärionen-Massenspecktrometrie(SIMS)到Auf Untersuhugen der Ramanverschiebung纵向光学Phononen beruhenen，Liefern für den Leerstellenbeitrag zur Selbstdiffereine Aktivierungsenthalpe von 3.6 EV。从理论上看，这是一种新的、更广泛的、更广泛的扩散理论。它是一种新的技术，是一种新的技术，它在中性粒子体和现代技术中得到广泛应用。《卫理公会新闻》10-21 cm2s-1 zu erfassen and Damit den temperaturbereich biisherigers selbstdisusionsdaten zu ergänzen.自我扩散的温度和时间与信息的关系在硅土中的自然扩散和自然扩散，以及它们在硅土中的扩散，都是基于过程模拟。

Jüngste Daten zur Selbstdiffusion in isotopenangereicherten Siliziumschichtstrukturen, die auf Tiefenprofilanalyse mittels Sekundärionen-Massenspektrometrie (SIMS) und auf Untersuchungen der Ramanverschiebung longitudinal optischer Phononen beruhen, liefern für den Leerstellenbeitrag zur Selbstdiffusion eine Aktivierungsenthalpie von 3.6 eV. Obwohl dieser Wert mit den Ergebnissen von früheren atomistischen Rechnungen konsistent ist, ist er im Widerspruch zur leerstellenvermittelten Diffusion von Dotieratomen und neusten Rechnungen auf der Grundlage der Dichtefunktionaltheorie (DFT). Im Rahmen dieses Forschungsvorhabens soll die Selbstdiffusion unter thermischen Gleichgewichtsbedingungen und unter Protonenbestrahlung an einkristallinen isotopenangereicherten Siliziumschichtstrukturen durchgeführt und mit der Neutronenreflektometrie (NR) und modernster SIMS-Technik untersucht werden. Diese Methoden ermöglichen Diffusionskoeffizienten bis 10-21 cm2s-1 zu erfassen und damit den Temperaturbereich bisheriger Selbstdiffusionsdaten zu ergänzen. Die Temperaturabhängigkeit der Selbstdiffusion im thermischen Gleichgewicht und Nichtgleichgewicht liefert Informationen über den Beitrag der Leerstelle zur Selbstdiffusion und ihrer Bildungs-/Wanderungsenthalpie. Die Untersuchungen sind wichtig für das Verständnis der Selbst- und Fremddiffusion in Silizium, für die Bewertung neuster DFT-Rechnungen sowie für die Bereitstellung einer fundierten Datenbasis für Prozesssimulationen.