3D Simulation of the Manufacturing Process for Composites with a SiC-matrix

在甲基-三氯硅烷(CH3SiCl3，MTS)下，Ablagerungen Si，C和Sic sind Sind für die Forschung auf Dem Gebiet Herstellung von Sic MIT Dem Verfahren der Chemischen Gayasen Dem Verfahren(CVI-Verfahren)De Morphologie and das Verteilungsmuster der Ablagerungen Si，C and Sic Sind Sind für forderung für Forschung auf DEM Gebiet Herstellung von Sic MIT Dem Verfahren der Chemischen Gayasen Dem Verfahren)。这句话的意思是：“从形态上看，从本质上看，这是一种终极产物。”在多相场模型公式中，用多相混合的方法，焊接化学和碳化硅的热力发电设备。我们将在工业领域进行建模和模拟，并在施万孔根和Wärmefluürmebilanz的基础上进行化学和化学分析。对热力学和动力学参数f‘r das Modelell进行了实验研究，确定了热力学参数。在三维多丝模拟中，我们采用了惠普有限元软件。采用平行模拟的方法进行实验研究。在TGCVI-Verfahren实施过程中，我们看到了Mikrostructure和Optimierung的特征和优化。上海大学上海分校(上海分校)在中国的实验室里进行了实验。

Die Morphologie und das Verteilungsmuster der Ablagerungen Si, C und SiC sind Herausforderung für die Forschung auf dem Gebiet Herstellung von SiC mit dem Verfahren der chemischen Gasphaseninfiltration (CVI-Verfahren) unter Verwendung vom Methyl-Trichlorsilan (CH3SiCl3, MTS) als Präkursor. Die Morphologie und das Verteilungsmuster sind sehr wichtig für die Eigenschaften des Endprodukts. Auf der Grundlage mehrerer Vorgängerprojekte zur 2D Phasenfeldmodellierung mit dem Verfahren der isothermen Gasphaseninfiltration (ICVI) zur Herstellung von C/C und SiC/SiC Verbundwerkstoffen wurde in den ersten beiden Jahren ein Multi-Phasen-Feld-Modell formuliert, welches die chemische Gasphasenabscheidung von SiC mit Si-Überschuss und/oder mit C-Überschuss beschreibt; die treibende Kraft für die Entstehung der einzelnen Komponenten wird aus thermodynamischen Berechnungen hergeleitet. Nun wird das Modell für die Simulation des bei der industriellen Anwendung weit verbreiteten Verfahrens der chemischen Gasphasenabscheidung mit thermischem Gradienten (TGCVI) durch Einbeziehung der Wärmebilanz unter Berücksichtigung von Schwankungen im Wärmefluß erweitert. Die thermodynamischen und die kinetischen Parameter für das Modell werden experimentell ermittelt, soweit sie nicht durch thermodynamische Berechnungen zugänglich sind. Bei der 3D Multi-Filament-Simulation wird die Parallelisierung durch Gebietszerlegung mit der adaptiven hp-FEM herangezogen. Parallel zu den Simulationen werden experimentelle Untersuchungen durchgeführt. Diese werden zwecks Charakterisierung der Mikrostruktur und Optimierung der Prozessparameter im TGCVI-Verfahren implementiert. Die experimentelle Untersuchung der Abscheidung von SiC wird im Labormaßstab vom Forschungsinstitut für Verbundwerkstoffe an der Universität Shanghai (SHU) in China durchgeführt.