Charakterisierung der ionenstrahlinduzierten Eigendefekt- und Metallionenverteilung in Silizium und deren Einfluss auf die Musterbildung

辐射衍射和反射是一种零阶自由的分析方法，用于确定基督教材料的缺陷。Zusätzlich kann damit von den Defekten ausgehende Gitterverzerrung richtungsabhängig gemessen韦尔登.为了研究在飞行探测器上探测到的入射辐射的中断效应，在一个波长为5 nm和100 nm的激光器上测量了一个准定常参数。在本课题中，研究了离子辐射腐蚀对金属材料生长的影响，以及离子辐射对植入体性能的影响。zerstörungsfrei mittels röntgendiffraktometrischer Methoden bestimmt韦尔登.大部分的硅都是金属材料，在硅材料中（Ga，Ge usw.）并解决了随后出现的相位（硅化物）形成韦尔登的问题。Zusätzlich sollen die Untersuchungen auf Siliziumproben mit vergrabenen dünnen Germanium- bzw. Eisenschichten ausgedehnt韦尔登，um die Correlation der geänderten Verzerrungsbedingungen an der inneren Grenzfläche zwischen beiden Materialien mit einer möglichen Änderung in der Musterbildung an der Oberfläche zu korrelieren.在Tatsache的横向和横向流动中，使用离子能量的能量集中器的Größe，可以通过韦尔登进行测量，使用5 keV和100 keV的离子能量进行测量，并对额外的能量韦尔登产生影响。通过测量不规则的光子能量（异常），并通过在Si中植入探针（Si in Si）的本征缺陷检测，可以解决本征和金属缺陷对分离韦尔登的影响。Gemessenen Verzerrungsfelder sollen mit Ergebnissen von Simulationen verglichen韦尔登，die mittels Finite Element Rechnungen im Rahmen der linearen Elastizitästheorie erzielt韦尔登。Gleichzeitig soll experimenttell ermittelt韦尔登，wie an der Silizium Oberfläche sichtbaren Muster mit der durch die Ionenbestrahlung entstandenen Metallionenverteilung in der Tiefe sich fortsetzen and wie diese mit der Defektverteilung korrelieren.在布拉格反射的对称性原理下，如果不加任何方位角，就可能产生韦尔登的横向各向异性。因此，该方法可用于局部原子敏感性分析（XAFS，GISAXS），从而可用于在体积和上表面韦尔登上对金属层进行最终的培养。Die Messungen sollen letztendlich dazu führen，die gemessene Verteilung der Defekte und Metallionen mit der Musterbildung zu korrelieren.

Röntgendiffraktion und – reflexion sind zerstörungsfreie Analysemethoden zur Bestimmung der Defektverteilung in kristallinen Materialien. Zusätzlich kann damit die von den Defekten ausgehende Gitterverzerrung richtungsabhängig gemessen werden. Durch Ausnutzung des Effektes der Brechung des einfallenden Röntgenstrahls an der Luft-Probe Grenzfläche, lassen sich die genannten Parameter quasi tiefenabhängig in einem Bereich zwischen etwa 5nm und mehreren 100nm bestimmen. In diesem Teilprojekt soll der Einfluss der Metallionenverteilung auf die Musterbildung als Folge der Ionenstrahlerosion und der daraus resultierenden Gitterverzerrungen tiefenaufgelöst als Funktion der Implantationsparameter (Ionenenergie, -sorte, Fluenz usw.) zerstörungsfrei mittels röntgendiffraktometrischer Methoden bestimmt werden. Dabei sollen insbesondere Metallionen, die im Silizium Festkörperlösungen (Ga, Ge usw.) und solche die nachgewiesenermaßen sekundäre Phasen (Silizide) bilden untersucht werden. Zusätzlich sollen die Untersuchungen auf Siliziumproben mit vergrabenen dünnen Germanium- bzw. Eisenschichten ausgedehnt werden, um die Korrelation der geänderten Verzerrungsbedingungen an der inneren Grenzfläche zwischen beiden Materialien mit einer möglichen Änderung in der Musterbildung an der Oberfläche zu korrelieren. Um eine ausreichende Tiefen- und Lateralauflösung zu erzielen und unter Ausnutzung der Tatsache, dass die Größe der entstehenden Muster mit der Ionenenergie skaliert, sollen die Untersuchungen an Proben durchgeführt werden, die mit Ionen der Energie zwischen 5 keV und 100 keV bestrahlt wurden und die Effekte dann auf den Niederenergiebereich extrapoliert werden. Durch Messung bei unterschiedlichen Photonenenergien (anomale Streuung) und durch Vergleich mit der Eigendefektverteilung in Si implantierten Proben (Si in Si) sollen die Einflüsse der Eigen- und Metalldefekte voneinander separiert werden. Die gemessenen Verzerrungsfelder sollen mit Ergebnissen von Simulationen verglichen werden, die mittels Finite-Element Rechnungen im Rahmen der linearen Elastizitätstheorie erzielt werden. Gleichzeitig soll experimentell ermittelt werden, wie die an der Silizium Oberfläche sichtbaren Muster mit der durch die Ionenbestrahlung entstandenen Metallionenverteilung in der Tiefe sich fortsetzen und wie diese mit der Defektverteilung korrelieren. Aus Messungen an prinzipiell symmetrieäquivalenten Bragg-Reflexen, die aber bei unterschiedlichen Azimutwinkeln aufgenommen wurden, kann auf eine eventuelle lateral Anisotropie der Defekt- und Verzerrungsverteilung geschlossen werden. Durch Methoden, die auf die lokale Anordnung der Atome sensitiv sind (XAFS, GISAXS), kann auf eine eventuelle Clusterbildung der Metallatome im Volumen und an der Oberfläche geschlossen werden. Die Messungen sollen letztendlich dazu führen, die gemessene Verteilung der Defekte und Metallionen mit der Musterbildung zu korrelieren.