Reaktive Ionenätzanlage

Das Institut für Halbleiteroptik and Funktionelle GrizfläChen arbeitet an der Herstellung and Quan-tenoptischen Charakterisierung von Komplexen Halbleterisierung von komplexen.他们的专业知识来自于他们的专业知识。在Mikrokavitäten einzubetten中的纳米级柴油，以及他们的基础研究系统，以及他们的发射器的发射，新的量子技术和技术的集成。这句话的意思是：“这是一种新的原子形式，它是一种特殊的技术。”这是不是挖掘，支持的MIT的侧线是在Einem Mikroeter下的Ausdehnung，比einer Tiefe zwichen 3 BI5 MikrometerMIT极端GERINGen Oberflächenrauigkeiten and senkrechten Seitenflanken，reproduzierbar herzustellen。Des weiteren wird MIT sehr unterschiedlicen材料-kombinationen gearbeitet(Gruppe III-氮化物，Krassische III-V Halbleiter，III-V-Si Kombinationen)在Denétzverfahren Verlangen(第三组氮化物，Krassische III-V Halbleiter，III-V-Si Kombinationen)中使用。这是一项非常重要的工作，因为它是一项非常重要的工作，也是一项重要的工作。这是一项新的技术和技术。“

„Das Institut für Halbleiteroptik und Funktionelle Grenzflächen arbeitet an der Herstellung und quan-tenoptischen Charakterisierung von komplexen Halbleiterquantenpunktsystemen. Vor allem im Mate-rialsystem InP/AIGalnP ist eine außerordentliche Expertise am Institut vorhanden. Dies versetzt uns in die Lage diese Nanostrukturen in Mikrokavitäten einzubetten, um die fundamentalen Eigenschaften dieser Systeme zu studieren, die Emissionseffizienz einzelner Emitter zu erhöhen, neue Quanten-punktbauelemente herzustellen und die Integration dieser Strukturen mit bestehender Silizium-Technologie voran zu treiben. Neben der atomlagen genauen Herstellung der Halbleiterstrukturen ist auch die Halbleiterprozessierung und hier vor allem die Ätztechnik von entscheidender Bedeutung. Hierbei ist es notwendig, Strukturen mit lateraler Ausdehnung von unter einem Mikrometer, aber einer Tiefe zwischen 3 bis 5 Mikrometern mit extrem geringen Oberflächenrauigkeiten und senkrechten Seitenflanken, reproduzierbar herzustellen. Des Weiteren wird mit sehr unterschiedlichen Material-kombinationen gearbeitet (Gruppe III-Nitride, klassische III-V Halbleiter, III-V-Si Kombinationen) die eine sehr große Flexibilität in den Ätzverfahren verlangen. Bisher hat das Institut nur Zugang zu Ätz-techniken, die diese Flexibilität nicht aufweisen und auch keine großen Ätztiefen erlauben. Die bean-tragte Anlage kombiniert konventionelle RIE mit Chlorchemie basierter ICP Technik und bietet uns somit nachhaltig die Möglichkeit der Nanostrukturierung.“