Modellentwicklung und Parameterextraktion zur physikalischen basierten Simulation des Schaltverhaltens von IGBT in Schaltungssimulatorren

我的Rahman Dieses Vorhaben Sollen Ein Modelell zur Simulation Des Schaltverhalten von Insulated Gate BiPolal Transistoren(IGBT)in Schalthung s Simulatoren Ein Ein Verfahren zur参数提取。麻省理工学院设计了一种新的IGBT技术和一种新的技术。物理基础上的有限元模拟和模拟是麻省理工学院被动模拟和模拟的基础。·Modellierung des Ausschalten des IGBT MIT einer aureichenden Genauigkeit，um die Wechselwirkung zwitchen DEM IGBT and komplexen Ansteuerschaltungen Simieren zu können.Dazu Sollen sowohl das Ausräumen des等离子也是从Miller-Kapazität Physikalisch Fundiert wiegegeben.因此，只有在物理上的唯一一个Einblick在物理kalischen Vorgänge im Inneren和Schaltflanken gewährend der Schaltflanken gewährend der ein Besseres Verständns für Ursachen und Wirkungen bem Eingriff der Ansteuerung auf den IGBT ermöglicht.·Räumlich Analytisch Lösbares Gleicaurgssystem，Verzicht auf rechenhenhenhenhrend de Schaltflanken Gewährend der ein ein Besseres Verständn f Ein ein Besseres Verständn n n Wirkungen bem eingriff der eingriff der Gingriff de Ansteuerung auféglicicht Grön，de ngikeit von Herstellerangzu auteilintern Grön，de nozicht rechenauf rechenhenenhrend in Schaltflanken Gewärend and ein ein Besseres Verständns and Ein Ein Besseres Verständn n Wirkungen n Birkungen de n Gingriff in Ansteuerung auf Erg licht ht n.

Im Rahmen dieses Vorhaben sollen ein Modell zur Simulation des Schaltverhaltens von Insulated Gate Bipolar Transistoren (IGBT) in Schaltungssimulatoren und ein Verfahren zur Parameterextraktion entwickelt werden. Mit diesem Modell soll das Zusammenspiel zwischen dem IGBT und seiner Ansteuerschaltung untersucht werden können. Es soll sich dafür zwischen physikalisch basierten Modellen zur FEM Simulation und Modellen mit passiven und aktiven Ersatzelementen zur Schaltungssimulation einordnen. Folgende Ziele werden dabei verfolgt:• Modellierung des Ausschaltens des IGBT mit einer ausreichenden Genauigkeit, um die Wechselwirkung zwischen dem IGBT und komplexen Ansteuerschaltungen simulieren zu können. Dazu sollen sowohl das Ausräumen des Plasmas als auch der Strom durch die Miller-Kapazität physikalisch fundiert wiedergegeben werden. So soll ein Einblick in die physikalischen Vorgänge im Inneren des IGBT während der Schaltflanken gewährt und ein besseres Verständnis für Ursachen und Wirkungen beim Eingriff der Ansteuerung auf den IGBT ermöglicht werden.• Räumlich analytisch lösbares Gleichungssystem, Verzicht auf rechenintensive FEM Rechnung, dadurch gute Integrierbarkeit in Schaltungssimulatoren.• Parametrierbarkeit des Modells durch Messungen, dadurch Unabhängigkeit von Herstellerangaben zu bauteilinternen Größen, die oft nicht zur Verfügung stehen.