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Röntgendiffraktometer für Dünnschichtanalytik und Epitaxie

Röntgendiffraktometer für Dünnschichtanalytik und Epitaxie
用于薄膜分析和外延生长的 X 射线衍射仪
批准号:
234726205
负责人:
金额:
$0.0万
依托单位:
依托单位国家:
德国
项目类别:
Major Research Instrumentation
财政年份:
2013
资助国家:
德国
项目状态:
未结题
起止时间:
2012-12-31 至 --

项目摘要

项目成果

相关文献

中文摘要
翻译
as Röntgendiffraktometer dient der Untersuchung der kristallinen Struktur von dnnen oxidischen Halbleiterfilmen (z. B. ZnO, MgO, GaN), dielektrischen Filmen (z. B. WO3, HfO2, Al2O3, SiN, SiOx), von magnetischen halbleiteren (wie ZnFe2O4, CoFe2O4), von ferroelektrischen和multiferroischen Materialien (wie BaTiO3, BiFeO3)。Ein herausrgenes Merkmal der Röntgendiffraktometrie (x射线衍射XRD) ist die Möglichkeit, die Atomabstände in allen drei Raumrichtungen mit höchster Präzision zu messen。麻省理工学院(Mit Hilfe)设计了一种新型材料。Bei kristallinen d<e:1> nnen Filmen auf kristallinen Unterlagen können die vielfältigen薄膜与衬底untersucht werden。Die Röntgenreflektometrie (x射线反射计XRR) erlaubt sehr präzise Aussagen zur Dicke, Dichte和Rauigkeit von nm- dnnen, au amorphen Filmen。Durch röntgenografische相分析kann die Wirksamkeit von Festkörperreaktionen fr聚晶材料Sinterkörper和Pulver <s:1> berpr<e:1> ft werden, die als Ausgangsmaterial f<e:1> r die d<e:1> nnschicht- abscheidung dienen。Die genannten materialcombationen stehen im Mittelpunkt der Forschungsaktivitäten im Sonderforschungsbereich 762 " Funktionalität Oxidischer Grenzflächen ", der graduate school " BuildMoNa " and weiterer project。部分客户为Gerät每名学生(理学学士和理学硕士,物理学和IPSP)和建筑学博士。
英文摘要
Das Röntgendiffraktometer dient der Untersuchung der kristallinen Struktur von dünnen oxidischen Halbleiterfilmen (z. B. ZnO, MgO, GaN), dielektrischen Filmen (z. B. WO3, HfO2, Al2O3, SiN, SiOx), von magnetischen Halbleitern (wie ZnFe2O4, CoFe2O4), und von ferroelektrischen und multiferroischen Materialien (wie BaTiO3, BiFeO3). Ein herausragendes Merkmal der Röntgendiffraktometrie (X-ray diffraction XRD) ist die Möglichkeit, die Atomabstände in allen drei Raumrichtungen mit höchster Präzision zu messen. Mit Hilfe dieser Gitterkonstanten werden andere funktionale Materialeigenschaften deutlich besser verstanden. Bei kristallinen dünnen Filmen auf kristallinen Unterlagen können die vielfältigen Epitaxiebeziehungen von Film und Substrat untersucht werden. Die Röntgenreflektometrie (X-ray reflectometry XRR) erlaubt sehr präzise Aussagen zur Dicke, Dichte und Rauigkeit von nm-dünnen, auch amorphen Filmen. Durch röntgenografische Phasenanalyse kann die Wirksamkeit von Festkörperreaktionen für polykristalline Sinterkörper und Pulver überprüft werden, die als Ausgangsmaterial für die Dünnschicht-Abscheidung dienen. Die genannten Materialkombinationen stehen im Mittelpunkt der Forschungsaktivitäten im Sonderforschungsbereich 762 „Funktionalität Oxidischer Grenzflächen“, der Graduiertenschule „BuildMoNa“ und weiterer Projekte. Somit dient das Gerät auch der Studenten- (B.Sc. und M.Sc. Physik und IPSP) und der strukturierten Doktorandenausbildung.
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会议论文
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发表时间: 2015-01
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通讯作者: Haoming Wei;Marcus Jenderka;M. Bonholzer;M. Grundmann;M. Lorenz
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