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Elektronenstrahl-Lithographiesystem

Elektronenstrahl-Lithographiesystem
电子束光刻系统
批准号:
268391591
负责人:
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Major Research Instrumentation
财政年份:
2015
资助国家:
德国
项目状态:
未结题
起止时间:
2014-12-31 至 --

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
3 .电子学研究进展:电子学研究进展:神经源输运材料特征分析进展:电子学研究进展:电子学研究进展。naheu alle项目研究了纳米结构材料,研究了纳米结构材料的结构特性。现代纳米光刻技术,deren herzst<e:1> (ck in elektronenstrahllithography system bildet),第1章。用户最好的光刻系统,设置了Inbetriebnahme在Jahr 2000 gute Dienste geleistet,读取nähert每14个betriebjahren das Ende der erwarteten lebensdaer和eine baldige Zunahme von Betriebsstörungen ist zu beberchten。参考文献:1 .参考文献:1 .参考文献:1 .参考文献:1 .参考文献:1 .参考文献:1 .参考文献:1 .参考文献:1 .参考文献:1 .参考文献:1 .参考文献:1 .参考文献:死亡,死亡,死亡,死亡,死亡,死亡,死亡,死亡,死亡,死亡,死亡,死亡,死亡,死亡,死亡,死亡,死亡,死亡,死亡,死亡,死亡,死亡,死亡,死亡,死亡,死亡,死亡,死亡,死亡,死亡,死亡,死亡,死亡,死亡,死亡,死亡,死亡,死亡,死亡,死亡,死亡,死亡,死亡,死亡,死亡。Hinzu评论说,在平版印刷中使用的是普通版印刷技术,在平版印刷中使用的是普通版印刷技术,在平版印刷中使用的是普通版印刷技术。在德国,在德国,在德国,在德国,在德国,在德国,在德国,在德国,在德国,在德国,在德国,在德国,在德国,在德国,在德国。新系统研究成果(<s:1>)、新系统研究成果(<s:1>)、新系统研究成果(<s:1>)、新系统研究成果(<s:1>)、新系统研究成果(<s:1>)、新系统研究成果(()、新系统研究成果()、新系统研究成果()、新系统研究成果()、新系统研究成果()。
英文摘要
Die gesamten Anstrengungen des Forschungslehrstuhles EP3 sind auf die Erforschung der elektronischen Eigenschaften von neuartigen Transportmaterialien und Bauteilen ausgerichtet. Nahezu alle Projekte des Lehrstuhles beinhalten das Wachstum eines Materials, dessen Nanostrukturierung sowie die Charakterisierung der Nanostruktur. Hochmoderne Nanolithographie, deren Herzstück ein Elektronenstrahllithograhiesystem bildet, ist daher für nahezu alle Aktivitäten der Gruppe grundlegend. Unser bestehendes Lithographiesystem hat seit der Inbetriebnahme im Jahr 2000 gute Dienste geleistet, allerdings nähert sich nach 14 Betriebsjahren das Ende der erwarteten Lebensdauer und eine baldige Zunahme von Betriebsstörungen ist zu befürchten. Zu dieser Befürchtung kommt die Tatsache hinzu, dass schon jetzt viele Komponenten nicht mehr verfügbar sind und das System nicht mit aktuellen Computer Betriebssystemen kompatibel ist. Dies bedeutet, dass sich Systemschäden nicht mehr durch einfache Reparaturen beheben lassen, sondern leicht sehr teuer oder aus Kompatibilitätsgründen sogar unmöglich werden können. Hinzu kommt, dass sich der Stand der Technik in der Lithographie im vergangenen Jahrzehnt derart weiterentwickelt hat, dass sich unser System nicht mehr auf dem neuestem Stand der Technik befindet. Dies betrifft neben weiteren Aspekten vor allem Schreibgeschwindigkeit, Durchsatz, Auflösung bei der Bildgebung, sowie Kontrolle des Belichtungspfades bei der Erzeugung von komplexen Formen. Das neue System würde aufgebaut um das Bisherige zu ersetzen und würde uns auch für das kommende Jahrzehnt gestatten an der Spitze des Gebietes der Lithographie von Nanostrukturbauteilen zu stehen.
期刊论文(9)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
NV-center diamond cantilevers
NV中心金刚石悬臂梁
DOI: 10.1016/j.mee.2016.02.063
发表时间: 2016
期刊: Microelectronic Engineering
影响因子: 2.3
作者: [J. Kleinlein, T. Borzenko, F. Münzhuber, J. Brehm, T. Kiessling, L.W. Molenkamp]
通讯作者: L.W. Molenkamp
DOI: 10.1088/0031-8949/2015/t164/014002
发表时间: 2015-08
期刊: Physica Scripta
影响因子: 2.9
作者: [L. Maier;E. Bocquillon;M. Grimm;J. Oostinga;C. Ames;C. Gould;C. Brüne;H. Buhmann;L. Molenkamp]
通讯作者: L. Maier;E. Bocquillon;M. Grimm;J. Oostinga;C. Ames;C. Gould;C. Brüne;H. Buhmann;L. Molenkamp
Coulomb-blockade peak spacing statistics of graphene quantum dots on SiO2
SiO2 上石墨烯量子点的库仑阻塞峰间距统计
DOI: 10.1063/1.4965303
发表时间: 2016
期刊: Journal of Applied Physics
影响因子: 3.2
作者: [O. Herrmann, C. Gould, L. W. Molenkamp]
通讯作者: L. W. Molenkamp
DOI: 10.1103/physrevb.96.195104
发表时间: 2017-11-01
期刊: PHYSICAL REVIEW B
影响因子: 3.7
作者: [Inhofer, A., Tchoumakov, S., Molenkamp, L. W.]
通讯作者: Molenkamp, L. W.
共 6 条
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