Clarification of dislocation reduction mechanism and exploring the limit in fast SiC bulk growth by high-temperature CVD
Clarification of dislocation reduction mechanism and exploring the limit in fast SiC bulk growth by high-temperature CVD
阐明位错还原机制并探索高温CVD快速生长SiC的极限
批准号：
20H00356
负责人：
Tsuchida Hidekazu
金额：
$21.47万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2022.126676
发表时间：
2022-05-02
期刊：
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
影响因子：
1.8
作者：
[Kamata, Isaho, Hoshino, Norihiro, Tsuchida, Hidekazu]
通讯作者：
Tsuchida, Hidekazu
電力中央研究所研究者紹介（土田秀一）
电力工业中央研究所研究员介绍（土田英一）
电力工业中央研究所研究员介绍（土田英一）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
4H-SiC結晶における貫通刃状転位の上昇運動を考慮した転位動力学シミュレーション
考虑 4H-SiC 晶体中穿透刃位错上升运动的位错动力学模拟
考虑 4H-SiC 晶体中穿透刃位错上升运动的位错动力学模拟
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[別役潔, 星乃紀博, 鎌田功穂, 神田貴裕, 土田秀一]
通讯作者：
土田秀一
4H-SiCにおける貫通刃状転位間の相互作用
4H-SiC 中螺纹刃位错之间的相互作用
4H-SiC 中螺纹刃位错之间的相互作用
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[別役潔, 星乃紀博, 鎌田功穂, 神田貴裕, 土田秀一]
通讯作者：
土田秀一
Reduction in dislocation densities in 4H-SiC bulk crystal grown at high growth rate by high-temperature gas-source method
高温气源法高生长速率的 4H-SiC 块晶中位错密度的降低
高温气源法高生长速率的 4H-SiC 块晶中位错密度的降低
DOI：
10.35848/1882-0786/abace0
发表时间：
2020
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
[Hoshino Norihiro, Kamata Isaho, Kanda Takahiro, Tokuda Yuichiro, Kuno Hironari, Tsuchida Hidekazu]
通讯作者：
Tsuchida Hidekazu
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