Bildungsmechanismen und Eigenschaften elektrochemisch erzeugter Metallfilme auf Halbleiterunterlagen

当我们认为电化学金属化阶段的培养是最好的工艺和最好的金属基体时，电化学金属化阶段的培养过程是不可能的。在n-和p-Si（hkl）/Mez+（mit（hkl）=（111），（100）和Me = Pb，Cd，Sn，Bi，Tl）模型体系中，半导体衬底上的电化学金属相生成原子的研究已基本完成。大部分的原位光栅探测技术不仅仅是分析，还可以用于制作韦尔登。Die Bildungsmechanismen und Eigenschaften der elektrochemisch erzeugten Metallphasen und Metallcluster sollen durch，kinetische und strukturelle Untersuchungen auf atomarer Ebene möglichst quantitativ aufgeklärt韦尔登. Die zu erwartenden wissenschaftlichen Ergebnisse können für die Entwicklung neuer Methoden zur Metallisierung und lokalen Nanostrukturierung von Halbleiteroberflächen verwendet韦尔登.在卡尔斯鲁厄开始了Lo 184/29-2项目。

Während ausreichende Kenntnisse über die elektrochemische Metallphasenbildung auf arteigenen und artfremden Metallsubstraten bestehen, sind die grundlegenden Phasenbildungsprozesse der elektrochemischen Metallabscheidung auf Halbleiterunterlagen weitgehend unbekannt. Im vorliegenden Forschungsvorhaben sollen die atomaren Aspekte der elektrochemischen Metallphasenbildung auf Halbleitersubstraten in den Modellsystemen n- und p-Si(hkl)/Mez+ (mit (hkl) = (111), (100) und Me = Pb, Cd, Sn, Bi, Tl) untersucht werden. Dabei sollen in situ-Rastersondentechniken nicht nur analytisch, sondern auch präparativ zur lokalen Metallabscheidung eingesetzt werden. Die Bildungsmechanismen und Eigenschaften der elektrochemisch erzeugten Metallphasen und Metallcluster sollen durch thermodynamische, kinetische und strukturelle Untersuchungen auf atomarer Ebene möglichst quantitativ aufgeklärt werden. Die zu erwartenden wissenschaftlichen Ergebnisse können für die Entwicklung neuer Methoden zur Metallisierung und lokalen Nanostrukturierung von Halbleiteroberflächen verwendet werden. Das Vorhaben schließt sich eng an das in Karlsruhe begonnene Projekt Lo 184/29-2 an.