Simulation und experimentelle Untersuchung der Nanokristallitbildung im Silizium- und Germaniumsystem

Das Wachstum von Germanium-Nanokristalliten auf silicium kann duch das Auftreten von Spannungen(STranski-Krastanov)：Das Wachstum von Germanium-Nanokristallen auf Silicium kann duch das Auftreten von Spannungen(STranski-Krastanov)(Das Wachstum von Germanium-Nanokristalliten auf Silicium kanum kann duch das Auftreten von Spannungen(STranski-Krastanov))(Das Wachstum von Ge Ge-Nanokristalliten auf silicium kanum kann duch das Auftreten von Spannungen(STranski-Krastanov))(Das Wachstum von Ge Ge-Nanokristalliten auf Silicium Von Silicium Kann das Auftreten von Spannungen(STranski-Krastanov))Das Wachstum von Ge Ge-Nanokristalliten auf Silicium Kann duch dch das Auftreten en von SpannunIm Projekt wird das Wachstum von GE-und Gesi-Kristalliten in Realzeit Mittels Spektroskopischer Ellipsstre Verfolgt and MIT Hilfe Dieser me？Daten ein Detailliertes Cluliertes-Wachstumsmodell entwickelt，das zum Verständnis und zur Optimierung des Wachstumsprozess verwendet wird.这句话的意思是：我们的国家和国家之间的关系并不是一帆风顺。在纳米技术中，纳米晶的定义是Gröçeée and Hoher Nuklesis。

Das Wachstum von Germanium-Nanokristalliten auf Silicium kann durch das Auftreten von Spannungen (Stranski-Krastanov) oder aber durch lokalisierte chemische Modifikation der Oberfläche erreicht werden. Im Projekt wird das Wachstum von Ge- und GeSi-Kristalliten in Realzeit mittels spektroskopischer Ellipsometrie verfolgt und mit Hilfe dieser Meßdaten ein detailliertes Cluster-Wachstumsmodell entwickelt, das zum Verständnis und zur Optimierung des Wachstumsprozesses verwendet wird. Von besonderem Interesse ist dabei das chemisch induzierte Wachstum, da hiermit möglicherweise eine bessere Kontrolle der Nukleationsdichte und Kristallitgröße erreicht werden kann. Die kontrollierte Herstellung solcher Nanokristallite mit definierter Größe und hoher Nukleationsdichte verspricht eine Reihe neuer Anwendungen in der Nanotechnologie.