Herstellung von Quasi-Substraten durch laterales epitaktisches Überwachsen (ELOG) mit Chlorhydrid-Gasphasenepitaxie

该项目是用氯化镓-砷化镓外延的GaN准衬底的制备。第二个答案是肯定的，韦尔登。通过对HVPE工艺中GaN的低温膨胀进行测试，对HVPE体积进行优化，以减少热绝缘衬底和Schicht。在具有SiO2结构的侧面外延层中，GaN Schichten mittels HVPE，被认为是一种减少缺陷的方法。SiO2掩模上的Störstellen的mögliche Einbau应该是最好的韦尔登。这是由于电子和光学特性对减少Versetzungsweette的影响。因此，我们必须通过MOCVD或MBE技术，使HVPE的体积和体积减小到与Schwerpunkts合作伙伴相同的程度，使衬底材料能够用于韦尔登。

Ziel des Projektes ist die Herstellung und Präparation von GaN Quasi-Substraten mit der Chlorhydrid-Gasphasenepitaxie. Zwei Ansätze sollen dabei verfolgt werden. Zum einen die Optimierung von HVPE Volumenschichten durch die Verwendung von GaN Niedertemperatur Pufferschichten im HVPE Prozeß, zur Reduzierung der thermisch induzierten Verspannungen zwischen Substrat und Schicht. Zum anderen das laterale epitaktische Überwachsen von mit SiO2 strukturierten, GaN Schichten mittels HVPE, was zusätzlich eine Reduzierung der Versetzungsdichte bewirkt. Der mögliche Einbau von Störstellen aus den SiO2 Masken soll dabei bestimmt werden. Ebenso der Einfluß der reduzierten Versetzungsdichte auf die elektrischen und optischen Eigenschaften. Darüber hinaus sollen die so hergestellten HVPE Volumenschichten und versetzungsreduzierten ELOG Substrate den Schwerpunkts Partnern, die MOCVD oder MBE betreiben, als Substratmaterial zur Verfügung gestellt werden.