Generalized infrared ellipsometrie determination of crystal structure and free-carrier properties from complex group III nitride heterostructure

第三组-氮化物组，von denen sowohl最优各向异性组和各向异性组。Bei der Dünschicht-Abscheidung varieren in ABHänGigkeit vom Technologie-Verfahren I.A.Kristall-und Mikrostrukturder Gruppe III-Nitide。从本质上看，这是一件很重要的事情。Be Dotierung einer Schicht beeflussen darüber hinaus die Freien Ladungsträgerüber die等离子-phon-Kopplung die dielektrische Funktion erheblich.从程序设计的角度来看：1.所有的技术和技术都是从最优的标准和最优的选择中获得的；2.从标准到最优的选择，从根本上说，都是从技术的角度出发，而不是从技术的角度来衡量；2.从技术的标准到具体的技术要求都很高。

Gruppe III-Nitride sind Verbindungen, von denen sowohl optischisotrope als auch optisch-anisotrope Phasen bekannt sind. Bei der Dünnschicht-Abscheidung variieren in Abhängigkeit vom Technologie-Verfahren i. a. Kristall- und Mikrostruktur der Gruppe III-Nitride. Demzufolge verändern sich vor allem die infrarotoptischen Eigenschaften. Bei Dotierung einer Schicht beeinflussen darüber hinaus die freien Ladungsträger über die Plasmon-Phonon-Kopplung die anisotrope dielektrische Funktion erheblich. Unser Vorhaben innerhalb des Schwerpunktprogramms dient dem Ziel: 1. erstmalig mittels Verallgemeinerter Infrarot-Ellipsometrie über die optisch-dielektrischen Eigenschaften die Kristallstruktur und im Falle der Dotierung die Konzentration und Beweglichkeit freier Ladungsträger der einzelnen Schichten in Gruppe III-Nitrid-Dünnschicht-Heterostrukturen zu bestimmen; 2. dafür diejenigen optischen Eigenschaften der verwendeten Standard- und alternativen Substratmaterialien systematisch zu untersuchen, die noch nicht hinreichend genau bekannt sind, und 3. dazu erstmalig die Methode der Verallgemeinerten Spektral-Ellipsometrie auf Untersuchungen anisotroper Medien im mittleren Infrarotbereich zu übertragen.