Einzelelektronentunneln durch InAs-Quantenpunkte

在Gitterfehlanpassung的基础上，我们用砷化镓（Gzw）来估计Bedingungen（Stranski-Krastanov-Wachstum）。砷化铟-砷化铟的Schichten量子点。在隧道结构的共振韦尔登中，该项目必须采用分子束散射（MBE）。在AlAs隧道中，通过韦尔登的隧道出口，可以实现InAs-Quantenpunkten隧道的自动化运输作业，并可以实现电子运输作业。通过量子点的电子隧道，可以使探测器的探测器工作。Insbesondere soll durch Messung der Temperatur- und Magnetfeldabhängigkeit der I-V Kennlinien der Transportprozezeplane physicalisch identifiziert und interpretiert韦尔登.使用InAs量子点的实验室也可以使用其他量子点，例如韦尔登，实验室可以将量子点转换为量子点。

Auf Grund der Gitterfehlanpassung wachsen unter bestimmten Bedingungen (Stranski-Krastanov-Wachstum) auf Galliumarsenid- bzw. Aluminiumarsenid-Schichten Quantenpunkte aus Indiumarsenid. Im Rahmen des Projekts sollen derartige Quantenpunkte mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) in resonante Tunnelstrukturen eingebaut werden. Dabei soll zum einen der Wachstumsprozeß von selbstordnenden InAs-Quantenpunkten auf AlAs untersucht werden und zum anderen soll der elektronische Transportprozeß durch diese Qauntenpunkte in den Tunneldioden, d.h. das Tunneln einzelner Elektronen durch die Quantenpunkte, Gegenstand eingehender Untersuchungen sein. Insbesondere soll durch Messung der Temperatur- und Magnetfeldabhängigkeit der I-V Kennlinien der Transportprozeß physikalisch identifiziert und interpretiert werden. Neben einfachen Schichten mit InAs-Quantenpunkten sollen auch Mehrfachschichten - gestapelte Quantenpunkte - hergestellt werden, um experimentellen Zugang zu Kopplungseffekten zwischen Quantenpunkten zu erhalten.