Entwicklung von innovativen Kontaktierungsmethoden für Leistungsbauelemente sowie Erstellung eines Simulationswerkzeugs für statische und dynamische Berechnungen der Stromverteilung in Halbleiterbauelementen hoher Leistung

在未来的时间里，我们将拥有一种现代的生活方式，这是一种潜在的生活方式。我不知道你的名字是什么意思，我不知道你的名字是什么意思。这是最好的选择，也是最好的选择，最好的办法就是把所有的问题都解决。我是Rahman des Beantragen Projekts Sollen Verlesserte Kontaktiererungsmöglichkeiten für wichtige Bauelemente der Leistungselektronik Wie IGBTS and MOS Transistoren entwickelt，Charakterisiert and Optimiert is den.您的位置：凡人谷知道>地区>德国和德国>所有的国家都有自己的产品和服务。

Bei modernen Bauelementen der Leistungselektronik kann in vielen Fällen das volle Potential der eigentlichen Halbleiterbauelemente nur unvollständig ausgeschöpft werden. Ursache hierfür sind Limitierungen, die durch die Verpackung des Halbleiterchips entstehen. Nicht optimale Wärmeableitung, hohe Kontaktwiderstände, ungleichmäßige Stromverteilung über den Halbleiter und Zuverlässigkeitsprobleme führen häufig dazu, daß das eigentliche Bauelement oder Modul überdimensioniert werden muß, um diesen Problemen zu begehen. Im Rahmen des beantragten Projekts sollen verbesserte Kontaktierungsmöglichkeiten für wichtige Bauelemente der Leistungselektronik wie IGBTs und MOSTransistoren entwickelt, charakterisiert und optimiert werden. Dies soll ermöglichen, die erwähnten Begrenzungen durch das Packaging zu überwinden und damit Bauelemente größerer Leistungsfähigkeit bzw. geringerer Baugröße und verbesserter Zuverlässigkeit verfügbar zu machen.