Physikalische und chemische Eigenschaften von Bor-Oberflächenphasen auf Silizium (111)

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Die Molekularstrahlepitaxie ermöglicht das kontrollierte Abscheiden vertikaler Schichtsysteme mit Schichtdicken vom Mikrometerbereich bis zu Dicken einer einzigen Monolage. Damit reicht ihre Anwendung von der Erzeugung vertikaler Heterostrukturen der Nanoelektronik, z.B. Feldeffekt gesteuerte MOS-Transistoren oder Dioden, bis hin zu physikalisch hochinteressanten Oberflächenphasen, gebildet z.B. durch Bor auf Silizium (111). Daher kann sie die technologische Grundlage sowohl für rein forschungsmäßig gestellte Fragestellungen sein, wie z.B. der Frage nach dem physikalischen und chemischen Verhalten der im Titel erwähnten "Silizium (111)/3x/3-R30° Bor-Oberflächenphase", als auch für industriell relevante Fragestellungen, wie z.B. nach schnelleren und leistungsstärkeren Halbleiterbauelementen. Das geplante Vorhaben zielt darauf ab, beide Fragestellungen am konkreten Beispiel von Bor-Oberflächenphasen auf Silizium (111) zu verbinden. Erklärtes Endziel dabei solle es zum einen sein, ein umfangreiches Verständnis dieser Phasen zu erlangen und gleichzeitig Wege und Konzepte zu finden und aufzuzeigen, wie dieses Verständnis über die Grenzen der Grundlagenphysik hinaus im Beriech der Nanotechnologie angewandt werden kann.