Rastersondenlithographie

近几年来，纳米结构中的新边界已经通过Rastersondenmethoden aufgezeigt验证。Mit dem Rastertunnelmikroskop kann z.B.一个Niederenergie-Elektronenstrahl-Lithographie implementiert韦尔登，die Strukturgrößen unter 10 nm erreicht.光栅结构的机械改性也可以使其具有更高的硬度，也可以使其具有聚碳酸酯介质的优异性能。在数据库的质量分析中，RKM的错误会导致Lesegeschwindigkeiten，而CD-Laufwerken的错误会导致Lesegeschwindigkeiten。In der Grundlagenforschung können diese Methoden einerseits als Instrumente für die Untersuchung und Aufklärung neuer Möglichkeiten der Nanostrukturierung eingesetzt韦尔登，die durch Modifikationen auf konventionelle Techniken übertragbar sind.因此，我们可以证明，在RKM中使用Kohlenstoff-Lithographiemasken的直接Schreiben，可以在RTM中找到一个电子传感器。该技术与传统的光刻技术和工艺有着直接的联系。通过对现有文献和新文献的研究，我们发现了两种新的纳米结构的制备方法：在e-RKM和RTM半透明基质上选择性地使用Gasphasenabscheidung;在e-RKM中通过Kohlenstoffschichten的氧化制备掩模。

Veröffentlichungen der letzten Jahren haben zunehmend neue Wege in der Nanostrukturierung unter Verwendung von Rastersondenmethoden aufgezeigt. Mit dem Rastertunnelmikroskop kann z.B. eine Niederenergie-Elektronenstrahl-Lithographie implementiert werden, die Strukturgrößen unter 10nm erreicht. Auch die mechanische Modifikation von Strukturen im Rasterkraftmikroskop konnte sich ähnliche Größenbereiche erschließen, wobei sich hier besonders Kunststoffe wie Polycarbonat als Medium bewährt haben. In diesem auf die Massenspeicherung von Daten abzielenden Bereich wurden bereits Lesegeschwindigkeiten mit dem RKM erreicht, die über denen von CD-Laufwerken liegen. In der Grundlagenforschung können diese Methoden einerseits als Instrumente für die Untersuchung und Aufklärung neuer Möglichkeiten der Nanostrukturierung eingesetzt werden, die durch Modifikationen auf konventionelle Techniken übertragbar sind. So wurde demonstriert, daß ein direktes Schreiben von Kohlenstoff-Lithographiemasken sowohl im RKM unter zusätzlicher Einwirkung eines elektrischen Feldes als auch im RTM möglich ist. Diese Technik eröffnet eine direkte Verknüpfung mit konventionellen Lithographie-Techniken und -Prozessen. Aufgrund unserer Erkenntnisse aus den Vorarbeiten und der neuen Literatur sowie den Vorhaben der Forschergruppe zur Strukturierung von selbstorganisierenden Schichten schlagen wir für dieses Teilprojekt zwei neue Wege zur Erzeugung von Nanostrukturen vor: die selektive chemische Gasphasenabscheidung auf im e-RKM und im RTM vorstrukturierten Halbleitersubstraten; die Herstellung von Masken durch Oxidation von Kohlenstoffschichten im e-RKM für nachfolgende Lithographieschritte.