Self-organized nanoscale structures by ion beam erosion.

unestimmten Bedingungen (schräger Ioneneinfall) ist es möglich, daß sich beim beschß von Festkörperoberflächen mit energetischen Ionen periodische“Ripple”-Strukturen mit Wellenlängen z.t deutlich kleiner als 1µm and einer definierten Orientierung zum einfallenden Ionenstrahl entsteen。Dieses Phänomen ist seit langem f<e:1> r eine Vielzahl von Materialien bekant，在每个晚上vollständig verstanden。[3] [j] .中国科学院新技术研究所，德国科学院，德国，德国。Dort kann man bei Aufhebung der durch die Ioneneinfallsrichtung vorgegebenen各向异性beder Entwicklung der Oberflächentopographie（“Ripple”- bildung） durch entweder senkrechten ioneneinfolder allgemeiner bei schrägem einferund simultaner Probenrotation die Ausbildung regelmäßiger h<s:1>凝胶- oder“Dot”- strukturen mit Abmessungen z.t deutlich kleiner als 100 nm bebachten。死entstandenen“点”Strukturen zeichnen西奇一方面dadurch来自,daß您超级große Bereiche vollig regelmaß搞笑(hexagonale Anordnung)和zum anderen annahernd gleich groß信德。1 . Die allgemeine und unfassende sowohl experimentale als auch theorech (basierend autiessimulationstechnungen unter Verwendung von stochastischen Kontinuumsgleichungen) Untersuchung dieses selbstorganisierenden mussterbildungsprozesses (einschließlich der Ausdehnung aufandere Materialien) soll Gegenstand des vorliegenden projektanages sein。

Unter bestimmten Bedingungen (schräger Ioneneinfall) ist es möglich, daß sich beim Beschuß von Festkörperoberflächen mit energetischen Ionen periodische "Ripple"-Strukturen mit Wellenlängen z.T. deutlich kleiner als 1 µm und einer definierten Orientierung zum einfallenden Ionenstrahl entstehen. Dieses Phänomen ist seit langem für eine Vielzahl von Materialien bekannt, wenn auch noch nicht vollständig verstanden. Eine neue faszinierende Entdeckung gelang kürzlich für verschiedene AIII/BV-Halbleiter. Dort kann man bei Aufhebung der durch die Ioneneinfallsrichtung vorgegebenen Anisotropie bei der Entwicklung der Oberflächentopographie ("Ripple"-Bildung) durch entweder senkrechten Ioneneinfall oder allgemeiner bei schrägem Einfall und simultaner Probenrotation die Ausbildung regelmäßiger Hügel- oder "Dot"-Strukturen mit Abmessungen z.T. deutlich kleiner als 100 nm beobachten. Die entstandenen "Dot"Strukturen zeichnen sich zum einen dadurch aus, daß sie über große Bereiche völlig regelmäßig (hexagonale Anordnung) und zum anderen annähernd gleich groß sind. Die allgemeine und umfassende sowohl experimentell als auch theoretisch (basierend auf Simulationsrechnungen unter Verwendung von stochastischen Kontinuumsgleichungen) Untersuchung dieses selbstorganisierenden Musterbildungsprozesses (einschließlich der Ausdehnung auf andere Materialien) soll Gegenstand des vorliegenden Projektantrages sein.