Wachstum von Gruppe III-Nitrid Bauelementen auf Silizium Substraten

齐尔·德·沃哈本斯·斯皮尔斯、里昂·弗雷、甘巴塞特·鲍埃门特·奥夫·斯图尔特·赫祖斯泰伦。我们将在515 nm和515 nm范围内对硅衬底进行掩蔽和非掩蔽。这是一种不同寻常的生活方式，不同于传统的方式。我们将在1兆瓦的范围内获得许可证。硅基GaN-BaSierte晶体管是一种新型的硅基材料，它是一种新型的半导体材料。在MIT和Gruppen Gruppen des Schwerpenkt程序中的问题是，MIT是一种密集的操作方法，它的结构、结构和性能都不是很好。这是一件非常重要的事情，因为它的特征是什么？

Ziel des Vorhabens ist es, rißfreie, GaN-basierte Bauelemente auf Si-Substraten herzustellen. Dabei handelt es sich zum einen um Lichtemitter mit Wellenlängen von 515 nm und größer auf maskierten und unmaskierten Si-Substraten. Zu diesem Zweck sollen der verspannungsabhängige In-Einbau im InGaN und Schichten im stickstoffreichen System InGaAsN untersucht werden. Es wird eine Lichtleistung von 1 mW angestrebt. Zum anderen sollen GaN-basierte Transistorstrukturen auf Si-Substrat hergestellt werden, deren Eigenschaften mit denen auf Saphirsubstrat vergleichbar sind. Die Proben sollen in Zusammenarbeit mit anderen Gruppen des Schwerpunktprogramms, mit denen zum Teil schon eine intensive Kooperation besteht, auf ihre strukturellen, elektrischen und optischen Eigenschaften hin untersucht werden. Außerdem sollen Proben anderer Gruppen mittels Röntgenverfahren auf ihre strukturellen Eigenschaften hin charakterisiert werden.