Spontaneous polarisation in (Al,Ga,In)N heterostructures

氮化铝、镓、铟等iii族元素的氮化铝、镓、铟等氮化镓的研究进展。所有的理论都是基于压电和自发极化的。本征光谱法是一种光学原理，是一种晶体管实验原理。在体积中研究自发极化与电场，在光学中研究本征与量子薄膜。Durch kontrollierte Präparation der Oberfläche mittel electronics electronics bestrahhlung sowie in ultra - hvacuum soler zusamenhang detailliert aufgeklärt and die sponspontan偏振定量估计。

Die Nitride der Gruppe III-Elemente Al, Ga und Indium sind als direkte Halbleiter mit Bandlücken im sichtbaren bis ultravioletten Spektralbereich als Basis für optoelektronische Bauelemente und Hochtemperatur-Elektronik interessant. Nach theoretischen Rechnungen werden starke piezoelektrische und spontane Polarisationseffekte erwartet. Ein starker Einfluß piezoelektrischer Felder auf die optischen Eigenschaften von Quantenfilmen sowie auf Feldeffekt-Transistoren ist experimentell erwiesen. Erste Experimente zeigen aufgrund der spontanen Polarisation einen Zusammenhang zwischen Oberflächenbelegung und elektrischem Feld im Volumen, nachgewiesen durch optische Eigenschaften eines Quantenfilms im Inneren. Durch kontrollierte Präparation der Oberfläche mittels Elektronenbestrahlung sowie im Ultrahochvakuum soll dieser Zusammenhang detailliert aufgeklärt und die spontane Polarisation quantitativ bestimmt werden.