Morphologie und elektronische Struktur von organischen Schichten in Feld-Effekt-Transistoren

ffbauend auf den bisherigen Erfahrungen sollen drei， ffdie Eigenschaften组织者ffts zentrale the encomplex bearbeitet werden：a) Optimierung und detaillierte Charakterisierung des Wachstums dnner organischer Schichten auf Isolatoroberflächen mit bestmöglichen Transport parallel zur Oberfläche, b) maßgeschneiderte Herstellung von metallischen Kontakten und Charakterisierung der metalall - organik - grenzschicht hinsichtlich Morphologie, chemischer Wechselwirkung and elektronischer Eigenschaften (z.B. Barrierehöhen, Bandverbiegungen)，(3)微结构光电加工技术中ofet的优化研究。Begonnen wind mit den punk a) und b)。al衬底为无定形SiO2/Si（100）和外延晶Al2O3/NiAl。此外，还发现了一种名为Substanzen sinstäbchen -和scheibchen-förmige polyzyklische Aromaten的分子，以及一种名为Gruppen vorgesen的功能性分子。Die Auswahl - der Systeme erfolgund derderreichten Schichtqualität and elektrischen Eigenschaften。2 . Die Untersuchungen werden mit schschiedenen strukturelen and elektronischen Meßmethoden and ger Zusammenarbeit mit mehereen anderen arbeitsgrouppen vorgenommen。

Aufbauend auf den bisherigen Erfahrungen sollen drei, für die Eigenschaften organischer FETs zentrale Themenkomplexe bearbeitet werden: a) Optimierung und detaillierte Charakterisierung des Wachstums dünner organischer Schichten auf Isolatoroberflächen mit bestmöglichen Transport parallel zur Oberfläche, b) maßgeschneiderte Herstellung von metallischen Kontakten und Charakterisierung der Metall-Organik-Grenzschicht hinsichtlich Morphologie, chemischer Wechselwirkung und elektronischer Eigenschaften (z.B. Barrierehöhen, Bandverbiegungen), und c) optimierter Aufbau von OFETs in Mikrostrukturen mittels lithographischer und selbstorganisierender Techniken. Begonnen wird mit den Punkten a) und b). Als Substrate werden anfangs amorphes SiO2/Si(100) und epitaktisches Al2O3/NiAl mit optimierter Topographie und Defektarmut zum Einsatz kommen. Als molekulare Substanzen sind stäbchen- und scheibchen-förmige polyzyklische Aromaten mit und ohne funktionellen Gruppen vorgesehen. Die Auswahl der Systeme erfolgt aufgrund der erreichten Schichtqualität und elektrischen Eigenschaften. Die Untersuchungen werden mit verschiedenen strukturellen und elektronischen Meßmethoden und in enger Zusammenarbeit mit mehreren anderen Arbeitsgruppen vorgenommen.