Untersuchung von Elektronen-Korrelationen und Elektron-Phonon Wechselwirkung mit Rastertunnelmikroskopie und -spektroskopie

在Festkörpern führen Korrelen和die Kopplung der Elektronen中，一位Phononen zu einer在Lebensdauer t der elektronischen Zustände。在此基础上，提出了一种新的光电子技术规范(ARPES)，并在此基础上提出了一种新的技术和技术方案，以解决现有的技术问题。他说：“我不知道怎么做才是最好的。”这是一家工厂，一个模块系统(MetalloberfläChen，Adsorbaten and dünnen Schichten)den Eifu？von Lokalisierung and Symmetrie der elektronischen Zustände auf ihre Lebensdauer zu untersuhen and die Kopplung der Elektronen untereinander and an Phononen besser zu versteen.在德国，科普洛普根面临着巨大的挑战，与之相关的是一种新的观念和观念。Wir wollen，neben den Messungen an Modelsystem en，das ZusammenSpiel von Geometrischer StrukTurn and elektronischer Strukur an OberfläChen von Schichtkristallen der Ruddelsden-Popper Serie MIT RasterTunelmikroskopie und-Spektroskopie，LEED-I(V)-分析和分析ARS unteruchenen，以及das zusammenSpiel von geel von gerationer von geon an de Elektronen an die Freitronen an die Freitronen de Elektronen de De Freitronen de Elektronen de de Elektronischer Strukur an OberfläChen von Schichtkristallen von Schichtkristallen der Schichtkristallen and-Spektroskopie MIT RasterTunelmikroskopie und-Spektroskopie-de-specktroskopie and ARS unteruchenen，um die

In Festkörpern führen Korrelationen und die Kopplung der Elektronen an Phononen zu einer endlichen Lebensdauer t der elektronischen Zustände. Untersuchungen mit winkelaufgelöster Photoelektronenspektroskopie (ARPES), bei denen aus der gemessenen Linienbreite über die Unschärferelation t bestimmt wurde, haben gezeigt, daß Vergleiche mit theoretischen Vorhersagen in vielen Fällen nicht sinnvoll sind, da z.B. kleinste Defektkonzentrationen die Dephasierungszeiten langlebiger Oberflächenzustände drastisch verkürzen. Der Einsatz einer lokalen Spektroskopie (Rastertunnelspektroskopie) erlaubt es, auf nahezu perfekten Probenbereichen mit sehr hoher Auflösung Lebensdauern zu messen. Es ist geplant, an Modellsystemen (Metalloberflächen, Adsorbaten und dünnen Schichten) den Einfluß von Lokalisierung und Symmetrie der elektronischen Zustände auf ihre Lebensdauer zu untersuchen und die Kopplung der Elektronen untereinander und an Phononen besser zu verstehen. In Übergangsmetalloxiden sind diese Kopplungen besonders stark und führen zu anwendungsrelevanten Effekten wie unkonventioneller Supraleitung und Kolossalem Magnetwiderstand. Wir wollen, neben den Messungen an Modellsystemen, das Zusammenspiel von geometrischer Struktur und elektronischer Struktur an Oberflächen von Schichtkristallen der Ruddelsden-Popper Serie mit Rastertunnelmikroskopie und -spektroskopie, LEED-I(V)-Analyse und ARPES untersuchen, um die Korrelationen und Kopplungen der Elektronen an die Freiheitsgrade des Gitters in diesen komplexen Materialien möglichst weitgehend aufzuklären.