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Study of insulator/Si interfaces and their stress using a monoenergetic positron beam

Study of insulator/Si interfaces and their stress using a monoenergetic positron beam
使用单能正电子束研究绝缘体/硅界面及其应力
批准号：
19360285
负责人：
UEDONO Akira
金额：
$9.32万
依托单位：
University of Tsukuba
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2010
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19360285/
关键词：
陽電子消滅低速陽電子ビーム絶縁膜低速陽電子絶縁膜界面

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
我们发展了一种基于正电子湮没技术的金属氧化物/半导体结构的分析方法来研究器件工艺。利用单能正电子束、XPS和电性能测试等手段，对TiN/SiO_2/SiHfSiO_x/SiCVD-SiO_2和SiO_2样品进行了表征，研究了点缺陷与电性能的关系。我们还研究了Cu/low-k结构中的low-k材料和势垒金属。
英文摘要
We developed an analysis method for metal oxides/semiconductor structures based on the positron annihilation technique to study device processes. Using monoenergetic positron beams, XPS, and measurements of the electric properties of samples, we characterized TiN/SiO_2/Si HfSiO_x/Si CVD-SiO_2, and SiO_2 to study the relationship between point defects and the electric properties. We also studied low-k materials and barrier metals in Cu/low-k structures.
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会议论文
低速陽電子ビームを用いた配線構造中のLow-k膜及びCu配線の欠陥評価
使用慢正电子束评估互连结构中低 k 膜和铜互连的缺陷
DOI： --
发表时间： 2010
期刊： 電子デバイスにおける原子輸送・応力問題 第15回研究会予稿集
影响因子： --
作者： [上殿明良, 他]
通讯作者： 他
低速陽電子ビームを用いたCu/Low-k配線構造中の欠陥検出
使用慢正电子束检测 Cu/低 k 互连结构中的缺陷
DOI： --
发表时间： 2010
期刊：
影响因子： --
作者： [H. Tanimoto, K. Yamada, H. Mizubayashi, Y. Matsumoto, H. Naramoto, S. Sakai, A.Uedono, 上殿明良,井上尚也,林喜宏,江口和弘,中村友二,廣瀬幸範,吉丸正樹,大島永康,大平俊行,鈴木良一]
通讯作者： 上殿明良,井上尚也,林喜宏,江口和弘,中村友二,廣瀬幸範,吉丸正樹,大島永康,大平俊行,鈴木良一
陽電子の基礎と最先端
正电子的基础和前沿
DOI： --
发表时间： 2010
期刊：
影响因子： --
作者： [上殿明良, et al., 大島永康, A. Uedono, 上殿明良,石橋章司,大島永康,大平俊行,鈴木良一]
通讯作者： 上殿明良,石橋章司,大島永康,大平俊行,鈴木良一
Vacancy-Boron Complexes in Plasma Immersion Ion-Implanted Si Probed by a Monoenergetic Positron Beam
DOI： 10.1143/jjap.49.051301
发表时间： 2010-05
期刊： Japanese Journal of Applied Physics
影响因子： 1.5
作者： [A. Uedono;K. Tsutsui;S. Ishibashi;Hiromichi Watanabe;S. Kubota;Y. Nakagawa;B. Mizuno;T. Hattori;H. Iwai]
通讯作者： A. Uedono;K. Tsutsui;S. Ishibashi;Hiromichi Watanabe;S. Kubota;Y. Nakagawa;B. Mizuno;T. Hattori;H. Iwai
共 22 条
    Study of vacancy-type defects in metal/metal-oxide by means of positron annihilation
    • 批准号：
      16560574
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.3万
    • 财政年份：
      2004
    • 负责人：
      UEDONO Akira
    • 依托单位：
      University of Tsukuba
    STUDY OF POINT DEFECTS IN GaN AND RELATED COMPOUND SEMICONDUCTORS BY MEANS OF POSITRON ANNIHILATION
    • 批准号：
      13650332
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $1.34万
    • 财政年份：
      2001
    • 负责人：
      UEDONO Akira
    • 依托单位：
      UNIVERSITY OF TSUKUBA
    Development of a pulshed monoenergetic positron beam line
    • 批准号：
      06555175
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $4.67万
    • 财政年份：
      1994
    • 负责人：
      UEDONO Akira
    • 依托单位：
      University of Tsukuba
    海外基金