Untersuchung von p-dotierten Schichten zur Bauelementeisolation

在碳化硅上实现组件是一种选择性的方法，它不需要离子注入。我想把这个问题再问一遍。活动和防御。这是一种镀金的铝合金，它的温度约为。1700°C的高温和低温会使其融化。其他人都是Akzeptor的朋友，他很高兴能参加这次活动。劳动者哈滕很快就把劳动者的工资提高到了工资标准。Für viele Bauelemente韦尔登p-dotierte Gebiete努尔zur Erzeugung einer Raumladungszone benötigt und hohe Leitfähigkeit ist nicht notwendig. Nicht eine möglichst hohe Aktivierung und Ladungsträgerbeweglichkeit，sondern stabile Ladungsträgerverteilungen sind entscheidend. Die erzeugten pn-Strukturen müssen ausreichende Sperrfähigkeit，geringe Defektelten und zeitlich stabiles Verhalten aufweisen.因此，需要对植入韦尔登的产品进行设计和维护。剩余的缺陷是由于建筑物本身的不稳定而引起的。Bauelementecharakteristik的退化被忽视。Im Falle der vergrabenen Schichten mufflächennahe oberflächennahe aktive Bauelementeschicht möglichst gering dotiert韦尔登. Die Defektbildung läßt sich über Implantationsbedingungen und Ausheilverfahren beeinflussen.在测试元件验证中，测试元件和电气特性将得到保证和实现。

Zur Realisierung von Bauelementen auf Siliciumkarbid ist die Erzeugung selektiv dotierter Gebiete notwendig; dies erlaubt einzig die Ionenimplantation. Im Falle von p-Dotierung existieren noch ungelöste Probleme bzgl. Aktivierung und Defektausheilung. Als flachster Akzeptor gilt Aluminium, das Ausheiltemperaturen von ca. 1700°C benötigt, um hochleitfähige und defektarme Schichten zu erzeugen. Bor als weiterer Akzeptor liegt bereits sehr tief und läßt sich kaum vollständig aktivieren. Bisherige Arbeiten hatten fast ausschließlich die Erzeugung möglichst hochleitfähiger p-dotierter Schichten zum Inhalt. Für viele Bauelemente werden p-dotierte Gebiete nur zur Erzeugung einer Raumladungszone benötigt und hohe Leitfähigkeit ist nicht notwendig. Nicht eine möglichst hohe Aktivierung und Ladungsträgerbeweglichkeit, sondern stabile Ladungsträgerverteilungen sind entscheidend. Die erzeugten pn-Strukturen müssen ausreichende Sperrfähigkeit, geringe Defektdichten und zeitlich stabiles Verhalten aufweisen. Dazu müssen, neben der Dotierverteilung, die Defekterzeugung und Ausheilung von implantierten Gebieten untersucht werden. Residuale Defekte wirken als Haftstellen, die zeitlich instabile Bauelementeeigenschaften bzw. Degradation der Bauelementecharakteristik bewirken. Im Falle der vergrabenen Schichten muß die oberflächennahe aktive Bauelementeschicht möglichst gering dotiert werden. Die Defektbildung läßt sich über Implantationsbedingungen und Ausheilverfahren beeinflussen. Der Zusammenhang zwischen diesen Prozeßbedingungen und den elektrischen Eigenschaften wird ermittelt und durch Realisierung in Testbauelementen verifiziert.