Metallorganische Gasphasenepitaxie von Gruppe III-Nitriden mit neuartigen Quellen

Neutarige Stickstoffquellen sollen für die metallorganische Gasphasenepitaxie von Gruppe III-Nitriden eingesetzt韦尔登.该工程的目的是为了使该工程更好地利用肼和亚乙基亚胺。由于氢化物是由一种高分子量叔丁基氢化物组成的，因此可以通过与Mochem的合作来实现韦尔登，从而获得高分子量GaN-和InN-Schichten韦尔登外延层。这是一种在GaAs和InGaAsN材料系统上的高强度的Schichten和Übergittern的方法，它具有在红外激光器上的Anwendungen的Hinblick上的最小带宽。Bei den Ethyleniminen is die Möglichkeit des epitaktischen Wachstums von GaN und InN zu untersuchen.

Neuartige Stickstoffquellen sollen für die metallorganische Gasphasenepitaxie von Gruppe III-Nitriden eingesetzt werden. Die Arbeiten des Antragszeitraumes konzentrieren sich auf die zuvor erfolgreich getesteten Verbindungen der Hydrazine und der aussichtsreichen Ethylenimine. Bei den Hydrazinen soll vor allen Dingen hochgereinigtes Tertiärbutylhydrazin, das über eine Kooperation mit Mochem realisiert werden kann, für die Epitaxie hochwertiger GaN- und InN-Schichten eingesetzt werden. Ziel ist das Wachstum von gitterangepaßten Schichten und Übergittern auf GaAs im InGaAsN-Materialsystem mit möglichst kleiner Bandlücke im Hinblick auf Anwendungen bei IR-Lasern. Bei den Ethyleniminen ist die Möglichkeit des epitaktischen Wachstums von GaN und InN zu untersuchen.