Metallorganische Gasphasenepitaxie Anlage für Forschungszwecke

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Das Institut für Halbleiteroptik und Funktionelle Grenzflächen arbeitet an der Herstellung und quan-tenoptischen Charakterisierung von komplexen Halbleiterquantenpunktsystemen. Vor allem im Mate-rialsystem InP/AlGaInP ist eine außerordentliche Expertise am Institut vorhanden. Dies versetzt uns in die Lage diese Nanostrukturen in Mikrokavitäten einzubetten, um die fundamentalen Eigenschaften dieser Systeme zu studieren, die Emissionseffizienz einzelner Emitter zu erhöhen, neue Quanten-punktbauelemente herzustellen und die Integration dieser Strukturen mit bestehender Silizium-Technologie voran zu treiben. Basis all dieser Aktivitäten bildet eine kontrollierte, reproduzierbare und auf die Geometrie der bestehenden Technologie angepasste Abscheidung sowohl der Quantenpunkt-systeme, wie auch der Halbleiterschichten, welche die Puffer zwischen den unterschiedlichen Materialien bzw. die Mikrokavitäten bilden. Mit Hilfe der „shower head“ Technik der modernen MOVPE For-schungsreaktoren lässt sich über einen kompletten Wafer eine homogene Abscheidung mit sehr ge-ringen Dickentoleranzen und einer extrem guten Reproduzierbarkeit realisieren. Des Weiteren wird die Abscheidung auf Substratgrößen (4 Zoll) möglich, die heutzutage Standard in der Silizium-Forschung sind. Die beantragte Anlage erlaubt uns die oben genannten Ziele zu realisieren und neue zukunftsträchtige Forschungsfelder zu etablieren.