Metallorganische Gasphasenepitaxie Anlage für Forschungszwecke

用于研究目的的金属有机气相外延系统

• 批准号: 206717216
• 金额: --
• 依托单位: Universität Stuttgart
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Major Research Instrumentation
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2011-12-31 至 无数据
• 项目状态: 未结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/206717216?language=en
• 关键词: Metallorganische; Gasphasenepitaxie; Anlage; Forschungszwecke

Das Institut für Halbleiteroptik und Funktionelle Grenzflächen arbeitet an der Herstellung und quan-tenoptischen Charakterisierung von komplexen Halbleiterquantenpunktsystemen. Vor allem im Mate-rialsystem InP/AlGaInP ist eine außerordentliche Expertise am Institut vorhanden. Dies versetzt uns in die Lage diese Nanostrukturen in Mikrokavitäten einzubetten, um die fundamentalen Eigenschaften dieser Systeme zu studieren, die Emissionseffizienz einzelner Emitter zu erhöhen, neue Quanten-punktbauelemente herzustellen und die Integration dieser Strukturen mit bestehender Silizium-Technologie voran zu treiben. Basis all dieser Aktivitäten bildet eine kontrollierte, reproduzierbare und auf die Geometrie der bestehenden Technologie angepasste Abscheidung sowohl der Quantenpunkt-systeme, wie auch der Halbleiterschichten, welche die Puffer zwischen den unterschiedlichen Materialien bzw. die Mikrokavitäten bilden. Mit Hilfe der „shower head“ Technik der modernen MOVPE For-schungsreaktoren lässt sich über einen kompletten Wafer eine homogene Abscheidung mit sehr ge-ringen Dickentoleranzen und einer extrem guten Reproduzierbarkeit realisieren. Des Weiteren wird die Abscheidung auf Substratgrößen (4 Zoll) möglich, die heutzutage Standard in der Silizium-Forschung sind. Die beantragte Anlage erlaubt uns die oben genannten Ziele zu realisieren und neue zukunftsträchtige Forschungsfelder zu etablieren.

Das Institut für Halbleiteroptik und Funktionelle Grenzflächen arbeitet an der Herstellung und quan-tenoptischen Charakterisierung von komplexen Halbleiterquantenpunktsystemen.对于InP/AlGaInP材料系统来说，这是一个非常重要的专业知识。在微结构中的拉格纳米结构使我们受益匪浅，研究了基本的特征系统，研究了发射特性，研究了新的量子点元件和集成结构，这些结构具有最好的硅技术。根据所有这些积极的图像控制，再现和几何形状的最佳技术angepaste Abscheidung sowohl的量子点系统，如halbleiterschichten，welche的河豚zwischen的unterrestriedlichen材料bzw。这是一个很好的例子。Mit Hilfe der“shower head”Technik der modernen MOVPE For-schungsreaktoren lässt sich über einen kompletten Wafer eine homogene Abscheidung mit sehr ge-ringen Dickentoleranzen und einer extreme guten Reproduzierbarkeit realisieren. Des Weiteren wird die Abscheidung auf Substratgrößen（4 Zoll）möglich，die heutzutage Standard in der Silizium-Forschung sind.该beantragte Anlage erlaubt uns die oben genannten Ziele zu realisieren and neue zukunftsträchtige Forschungsfelder zu etablieren.

项目成果

Intra-cavity frequency-doubled mode-locked semiconductor disk laser at 325 nm.

325 nm 腔内倍频锁模半导体盘激光器

• DOI: 10.1364/oe.23.019947
• 发表时间: 2015
• 期刊: Optics express
• 影响因子: 3.8
• 作者: R. Bek;S. Baumgärtner;F. Sauter;H. Kahle;T. Schwarzbäck;M. Jetter;P. Michler
• 通讯作者: P. Michler

High optical output power in the UVA range of a frequency-doubled, strain-compensated AlGaInP-VECSEL

倍频、应变补偿 AlGaInP-VECSEL 在 UVA 范围内具有高光输出功率

• DOI: 10.7567/apex.7.092705
• 发表时间: 2014
• 期刊: Applied Physics Express
• 影响因子: 2.3
• 作者: H. Kahle;R. Bek;M. Heldmaier;T. Schwarzbäck;M. Jetter;P. Michler
• 通讯作者: P. Michler

Structural and emission properties of InGaAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 μm

1 3 μm 发射的 InGaAs/GaAs 量子点的结构和发射特性

• DOI: 10.1063/1.4898186
• 发表时间: 2014
• 期刊: Applied Physics Letters
• 影响因子: 4
• 作者: E. Goldmann;M. Paul;F. F. Krause;K. Müller;J. Kettler;T. Mehrtens;A. Rosenauer;M. Jetter;P. Michler;F. Jahnke
• 通讯作者: F. Jahnke

Comparison of AlGaInP-VECSEL gain structures

• DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2014.10.016
• 发表时间: 2015-03
• 期刊: Journal of Crystal Growth
• 影响因子: 1.8
• 作者: S. Baumgärtner;H. Kahle;R. Bek;T. Schwarzbäck;M. Jetter;P. Michler

Enhanced efficiency of AlGaInP disk laser by in-well pumping.

通过井内泵浦提高 AlGaInP 盘式激光器的效率

• DOI: 10.1364/oe.23.002472
• 发表时间: 2015
• 期刊: Optics express
• 影响因子: 3.8
• 作者: C. M. N. Mateo;U. Brauch;T. Schwarzbäck;H. Kahle;M. Jetter M. Abdou-Ahmed;P. Michler;T. Graf
• 通讯作者: T. Graf