Metallorganische Gasphasenepitaxie Anlage für Forschungszwecke

Das Institut für Halbleiteroptik und Funktionelle Grenzflächen arbeitet an der Herstellung und quan-tenoptischen Charakterisierung von komplexen Halbleiterquantenpunktsystemen.对于InP/AlGaInP材料系统来说，这是一个非常重要的专业知识。在微结构中的拉格纳米结构使我们受益匪浅，研究了基本的特征系统，研究了发射特性，研究了新的量子点元件和集成结构，这些结构具有最好的硅技术。根据所有这些积极的图像控制，再现和几何形状的最佳技术angepaste Abscheidung sowohl的量子点系统，如halbleiterschichten，welche的河豚zwischen的unterrestriedlichen材料bzw。这是一个很好的例子。Mit Hilfe der“shower head”Technik der modernen MOVPE For-schungsreaktoren lässt sich über einen kompletten Wafer eine homogene Abscheidung mit sehr ge-ringen Dickentoleranzen und einer extreme guten Reproduzierbarkeit realisieren. Des Weiteren wird die Abscheidung auf Substratgrößen（4 Zoll）möglich，die heutzutage Standard in der Silizium-Forschung sind.该beantragte Anlage erlaubt uns die oben genannten Ziele zu realisieren and neue zukunftsträchtige Forschungsfelder zu etablieren.

Das Institut für Halbleiteroptik und Funktionelle Grenzflächen arbeitet an der Herstellung und quan-tenoptischen Charakterisierung von komplexen Halbleiterquantenpunktsystemen. Vor allem im Mate-rialsystem InP/AlGaInP ist eine außerordentliche Expertise am Institut vorhanden. Dies versetzt uns in die Lage diese Nanostrukturen in Mikrokavitäten einzubetten, um die fundamentalen Eigenschaften dieser Systeme zu studieren, die Emissionseffizienz einzelner Emitter zu erhöhen, neue Quanten-punktbauelemente herzustellen und die Integration dieser Strukturen mit bestehender Silizium-Technologie voran zu treiben. Basis all dieser Aktivitäten bildet eine kontrollierte, reproduzierbare und auf die Geometrie der bestehenden Technologie angepasste Abscheidung sowohl der Quantenpunkt-systeme, wie auch der Halbleiterschichten, welche die Puffer zwischen den unterschiedlichen Materialien bzw. die Mikrokavitäten bilden. Mit Hilfe der „shower head“ Technik der modernen MOVPE For-schungsreaktoren lässt sich über einen kompletten Wafer eine homogene Abscheidung mit sehr ge-ringen Dickentoleranzen und einer extrem guten Reproduzierbarkeit realisieren. Des Weiteren wird die Abscheidung auf Substratgrößen (4 Zoll) möglich, die heutzutage Standard in der Silizium-Forschung sind. Die beantragte Anlage erlaubt uns die oben genannten Ziele zu realisieren und neue zukunftsträchtige Forschungsfelder zu etablieren.