Erneuerung der elektronischen Steuerung einer Metallorganischen Gasphasenepitaxie und eines Reflexionssensors

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„Das Institut für Halbleiteroptik und Funktionelle Grenzflächen arbeitet an der Herstellung und quantenoptischen Charakterisierung von komplexen Halbleiterquantenpunktsystemen. Vor allem im Materialsystem InP/AlGaInP ist eine außerordentliche Expertise am Institut vorhanden. Dies versetzt uns in die Lage, diese Nanostrukturen in Mikrokavitäten einzubetten, um die fundamentalen Eigenschaften dieser Systeme zu studieren, die Emissionseffizienz einzelner Emitter zu erhöhen und neue Quantenpunktbauelemente herzustellen. Basis all dieser Aktivitäten bildet die kontrollierte und überwachte Abscheidung sowohl der Quantenpunktsysteme als auch der Halbleiterschichten, welche die Mikrokavitäten bilden. Um eine Atomlagen genaue Herstellung zu gewährleisten, sind schnelle und präzise Schaltzeiten der Steuerungselektronik notwendig. Ebenso für den Wachstumsprozess unerlässlich ist die Bestimmung der exakten Substratoberflächentemperatur sowie ein Nachweis über das Vorhandensein der Quantenpunktstrukturen, ehe sie in die weiteren notwendigen Halbleiterschichten eingebettet werden. Die oben erwähnten Eigenschaften können wir durch eine Erneuerung der Schaltelektronik der bestehenden Anlage, sowie der Erweiterung des Reflexionssensors mit einer optischen Anisotropieanalyse und des Temperatursensors realisieren und nachhaltig sichern.“