Erneuerung der elektronischen Steuerung einer Metallorganischen Gasphasenepitaxie und eines Reflexionssensors

“Das Institut für Halbleiteroptik und Funktionelle Grenzflächen arbeitet an der Herstellung und quantenoptischen Charakterisierung von komplexen Halbleiterquantenpunktsystemen.对于InP/AlGaInP材料系统来说，这是一个非常重要的专业知识。Dies versetzt uns in die拉格，diese Nanostrukturen in Mikrokavitäten einzubetten，um die fundamentalen Eigenschaften dieser System zu studieren，die Emissionsefizienz einzelner Escherichen zu erhen und neue Quantenpunktbauelemente herzustellen.根据所有这些积极的教育活动，控制和教育活动都是量子点系统的一部分，也是量子点系统的一部分。Um eine Atomlagen genaue Herstellung zu gewährleisten，sind schnelle und präzise Schaltzeiten der Steuerungselektronik notwendig. Ebenso für den Wachstumsprozess unerlässlich ist die Bestimmung der exakten Substratoberflächentemperatur sowie ein Nachweis über das Vorhandensin der Quantenpunktstrukturen，ehe sie in die weiteren notwendigen Halbleiterschichten eingebettet韦尔登.我们通过对最好的天线的无线电收发器进行测试，获得了反射传感器的测试结果，并进行了光学各向异性分析和温度传感器的实现。“

„Das Institut für Halbleiteroptik und Funktionelle Grenzflächen arbeitet an der Herstellung und quantenoptischen Charakterisierung von komplexen Halbleiterquantenpunktsystemen. Vor allem im Materialsystem InP/AlGaInP ist eine außerordentliche Expertise am Institut vorhanden. Dies versetzt uns in die Lage, diese Nanostrukturen in Mikrokavitäten einzubetten, um die fundamentalen Eigenschaften dieser Systeme zu studieren, die Emissionseffizienz einzelner Emitter zu erhöhen und neue Quantenpunktbauelemente herzustellen. Basis all dieser Aktivitäten bildet die kontrollierte und überwachte Abscheidung sowohl der Quantenpunktsysteme als auch der Halbleiterschichten, welche die Mikrokavitäten bilden. Um eine Atomlagen genaue Herstellung zu gewährleisten, sind schnelle und präzise Schaltzeiten der Steuerungselektronik notwendig. Ebenso für den Wachstumsprozess unerlässlich ist die Bestimmung der exakten Substratoberflächentemperatur sowie ein Nachweis über das Vorhandensein der Quantenpunktstrukturen, ehe sie in die weiteren notwendigen Halbleiterschichten eingebettet werden. Die oben erwähnten Eigenschaften können wir durch eine Erneuerung der Schaltelektronik der bestehenden Anlage, sowie der Erweiterung des Reflexionssensors mit einer optischen Anisotropieanalyse und des Temperatursensors realisieren und nachhaltig sichern.“