Systematische Untersuchung der elektrischen Festigkeit von AlN-Substrat und zugehöriger Werkstoff-Interfaces für Hochleistungs-Halbleiter

我们的包装是高效的，这是一套高效的包装系统。所有的过敏症都是这样的，这些过敏症很好地解决了问题。Dazu muüzusätzlich eine system sche Untersuung der elektrischen Festigkeit von typeischen AlN/Werkstoff-Interages，die ch Kontaktierung BZW.Vergu？entstehen and die für diesen Spannungsbereich in Frage kommenden unterschiedlichen Silikonweichvergu？Massen vomomans.在此期间，我们将继续为您提供更多的服务和服务。他说：“我的语言是稳定的，我的语言是稳定的。”在此基础上，进行了一种新的分析方法，以提高效率和质量。

Unabdingbar für Hochleistungs-Halbleiter ist neben dem Silizium-Halbleiter ein Packaging zur effektiven Wärmeableitung und als hochwertiges Isoliersystem. Eine umfassende hochspannungstechnische Charakterisierung des dafür eingesetzten Werkstoffs AlN ist allerdings nicht ausreichend, um eine Erhöhung der Betriebsspannung bei Hochleistungs-Halbleitermodulen zu ermöglichen. Dazu muß zusätzlich eine systematische Untersuchung der elektrischen Festigkeit von typischen AlN/Werkstoff-Interfaces, die durch Kontaktierung bzw. Verguß entstehen und die für diesen Spannungsbereich in Frage kommenden unterschiedlichen Silikonweichvergußmassen vorgenommen werden. Durch Belastung mit verschiedenen Spannungsformen sowie kombiniert elektrisch/thermische Alterung soll die wissenschaftliche Grundlage für den hochspannungstechnischen Einsatz geschaffen werden. Ergebnisse zur Langzeitstabilität, zu nichtlinearen und parametrischen Effekten werden erwartet. Durch begleitende mikroskopische Analysen sind die beobachteten Effekte der tatsächlichen stofflichen Zusammensetzung und der Mikrostruktur der AlN-Keramik zuzuordnen.