Study on crystal grains of GaN which has microstructures in mesoscopic scale.
Study on crystal grains of GaN which has microstructures in mesoscopic scale.
具有介观尺度微观结构的GaN晶粒的研究。
批准号：
21560013
负责人：
AKIMOTO Koichi
金额：
$2.83万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2009
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2009 至 2011
中文摘要
翻译
利用CCD相机X射线形貌术，成功地测量了具有介观尺度微结构的μm级GaN的Δθ和Δd。通过采用达尔文的动态X射线衍射理论，在表面和界面处的应变的定量评估成为可能。建立了GaN表面应变定量分析方法。
英文摘要
By X-ray topography using CCD camera,ΔθandΔd successfully measured separately inμm order GaN which has microstructures in mesoscopic scale. By employing Darwin's dynamical X-ray diffraction theory, quantitative evaluation of strain at surfaces and interfaces becomes possible. Method of quantitative strain analysis on the GaN surface was established.
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Novel Film Growth Mechanism using Tribo-Assisted Phenomenon
利用摩擦辅助现象的新型薄膜生长机制
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DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
[渡辺剛, 細貝拓也, 小金澤智之, 田村浩平, 齋藤正基, 神谷亮輔, 菊池護, 吉本則之, K.Akimoto]
通讯作者：
K.Akimoto
Structure of the quasi-one-dimensional Si(553)-Au surface
准一维Si(553)-Au表面结构
准一维Si(553)-Au表面结构
DOI：
10.1103/physrevb.82.075426
发表时间：
2010
期刊：
Gold dimer row and silicon honeycomb chain, Phys. Rev
影响因子：
--
作者：
[W. Voegeli, T. Takayama, T. Shirasawa, M. Abe, K. Kubo, T. Takahashi, K. Akimoto, and H. Sugiyama]
通讯作者：
and H. Sugiyama
Strain analysis of SiC and GaN surface regions using extremely asymmetric X-ray diffraction, 11th International Conference on Atomically Controlled Surfaces
使用极不对称 X 射线衍射对 SiC 和 GaN 表面区域进行应变分析，第 11 届国际原子控制表面会议
使用极不对称 X 射线衍射对 SiC 和 GaN 表面区域进行应变分析，第 11 届国际原子控制表面会议
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
[野地尚, 今泉真人, 足立匡, 小池洋二, K. Akimoto]
通讯作者：
K. Akimoto
Strain analysis of SiC and GaN surface regions using extremely asymmetric X-ray diffraction
使用极不对称 X 射线衍射对 SiC 和 GaN 表面区域进行应变分析
使用极不对称 X 射线衍射对 SiC 和 GaN 表面区域进行应变分析
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
[小野久美子・徳山尊大, 金岡鐘局・青島貞人, K.Akimoto]
通讯作者：
K.Akimoto
周期表第13族金属窒化物基板
元素周期表第13族金属氮化物基材
元素周期表第13族金属氮化物基材
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
共 14 条
Study on strain fields of GaN crystals which have microstructures in mesoscopic scale.
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批准号：24560009
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.49万
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财政年份：2012
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负责人：AKIMOTO Koichi
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依托单位：
Phase transition of high-dielectric insulating films studied by extremely asymmetric X-ray diffraction and X-ray photoelectron spectroscopy
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批准号：16340088
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$10.3万
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财政年份：2004
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负责人：AKIMOTO Koichi
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依托单位：
Strain Relaxation at Semiconductor Surface Revealed by X-Ray Diffraction
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批准号：12440086
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$6.78万
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财政年份：2000
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负责人：AKIMOTO Koichi
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依托单位：
海外基金