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Study on strain fields of GaN crystals which have microstructures in mesoscopic scale.

Study on strain fields of GaN crystals which have microstructures in mesoscopic scale.
介观尺度微观结构GaN晶体应变场研究。
批准号：
24560009
负责人：
AKIMOTO Koichi
金额：
$3.49万
依托单位：
Japan Women's University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24560009/
关键词：
Ｘ線回折窒化ガリウムメゾスコピックＸ線トポグラフィー結晶欠陥電子回折表面構造結晶工学シンクロトロン放射光格子ひずみ化合物半導体ＧａＮ

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X線トポグラフ法によるGaN結晶の欠陥評価
X射线形貌法评估GaN晶体缺陷
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [井上絵美子, 野口彩純, 大山美咲, 渡辺玲那, 秋本晃一]
通讯作者： 秋本晃一
GaN Lattice Distortion and Surface Structure
GaN 晶格畸变和表面结构
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [Azumi Noguchi, Emiko Inoue, Misaki Oyama, Rena Watanabe, Koichi Akimoto]
通讯作者： Koichi Akimoto
Study on crystal grains of GaN which has microstructures in mesoscopic scale.
  • 批准号：
    21560013
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $2.83万
  • 财政年份：
    2009
  • 负责人：
    AKIMOTO Koichi
  • 依托单位：
    Nagoya University
Phase transition of high-dielectric insulating films studied by extremely asymmetric X-ray diffraction and X-ray photoelectron spectroscopy
  • 批准号：
    16340088
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $10.3万
  • 财政年份：
    2004
  • 负责人：
    AKIMOTO Koichi
  • 依托单位：
    Nagoya University
Strain Relaxation at Semiconductor Surface Revealed by X-Ray Diffraction
  • 批准号：
    12440086
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $6.78万
  • 财政年份：
    2000
  • 负责人：
    AKIMOTO Koichi
  • 依托单位：
    Nagoya University
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