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Study on strain fields of GaN crystals which have microstructures in mesoscopic scale.
介观尺度微观结构GaN晶体应变场研究。
基本信息
- 批准号：24560009
- 负责人：
- 金额：$ 3.49万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2012
- 资助国家：日本
- 起止时间：2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Quantitative strain analysis of surfaces and interfaces using extremely asymmetric x-ray diffraction
- DOI：10.1088/0953-8984/22/47/473001
- 发表时间：2010-12-01
- 期刊：
- 影响因子：2.7
- 作者：Akimoto, Koichi;Emoto, Takashi
- 通讯作者：Emoto, Takashi
GaN Lattice Distortion and Surface Structure
GaN 晶格畸变和表面结构
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Azumi Noguchi;Emiko Inoue;Misaki Oyama;Rena Watanabe;Koichi Akimoto
- 通讯作者：Koichi Akimoto
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Study on crystal grains of GaN which has microstructures in mesoscopic scale.
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