A diamond thin film growth on SiC buffer layer on a Si substrate
A diamond thin film growth on SiC buffer layer on a Si substrate
Si 衬底上 SiC 缓冲层上生长金刚石薄膜
批准号：
21560334
负责人：
KATO Yoshimine
金额：
$3.0万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2009
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2009 至 2011
中文摘要
翻译
本研究的目的是利用低成本的硅衬底，在SiC/Si衬底上使用纳米晶金刚石（NCD）制造未来的功率器件。我们成功地在p型Si衬底上生长的SiC薄膜上使用n型NCD薄膜制备了pn二极管。
英文摘要
The purpose of this research is to use low cost Si substrate for fabricating future power devices using nanocrystalline diamond (NCD) on SiC/Si substrate. We have succeeded in fabricating pn diode using n-type NCD film on a SiC film grown on p-type Si substrate.
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
SiC and nanocrystalline diamond coating on Si substrates fabricated by microwave plasma CVD
微波等离子体 CVD 在硅基体上制备碳化硅和纳米晶金刚石涂层
微波等离子体 CVD 在硅基体上制备碳化硅和纳米晶金刚石涂层
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
Proc.of 16th International Conference on Surface Modification of Materials by Ion Beams
影响因子：
--
作者：
[Yoshimine Kato, etc.]
通讯作者：
etc.
半導体基板上へのナノダイヤモンド成膜とダイオード特性に関する研究
半导体衬底上纳米金刚石成膜及二极管特性研究
半导体衬底上纳米金刚石成膜及二极管特性研究
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M.K.Ahmad, K.Murakami, 天野僚 ,五 島正基,加藤喜峰,堤井君元]
通讯作者：
天野僚 ,五 島正基,加藤喜峰,堤井君元
Growth and electrical properties of 3C-SiC/nanocrystalline diamond layered films
3C-SiC/纳米晶金刚石层状薄膜的生长和电学性能
3C-SiC/纳米晶金刚石层状薄膜的生长和电学性能
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys
影响因子：
--
作者：
[Akira KOGA, Kungen TEII, Masaki GOTO, Kazuhiro YAMADA, and Yoshimine KATO]
通讯作者：
and Yoshimine KATO
p型4H‐SiC／n型ナノクリスタルダイヤモンド ダイオードの高温動作
p型4H-SiC/n型纳米晶金刚石二极管的高温工作
p型4H-SiC/n型纳米晶金刚石二极管的高温工作
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[天野 僚，五島 正基，下田尚孝, 加藤 喜峰，堤井 君元]
通讯作者：
加藤 喜峰，堤井 君元
ナノクリスタルダイヤモンド薄膜のオーミック電極特性
纳米晶金刚石薄膜的欧姆电极特性
纳米晶金刚石薄膜的欧姆电极特性
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[下田尚孝, 加藤喜峰, 堤井君元]
通讯作者：
堤井君元
共 18 条
A novel solar cell using Si nano-crystals
-
批准号：24656210
-
项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
-
资助金额：$2.58万
-
财政年份：2012
-
负责人：KATO Yoshimine
-
依托单位：
海外基金