Vollständig oxidische Tunnelmagnetowiderstands-Systeme und Einfluss der Grenzflächen auf den Tunnelmagnetowiderstand

隧道磁宽站在具有两个磁电极和一个隔离巴里埃的Dreifachlagen-Systemen中，它增强了磁场的稳定性。在磁传感器中，我们发现了许多错误。在室温下，当铁磁电极的相对磁化强度从平行到反平行取向时，可获得50%的宽标准。带有金属Schichten和一个氧化屏障的系统存在一些问题。通过铁磁体/绝缘体-Grenzfläche的相互扩散和铁磁电极的部分氧化，可以确定重新生成的Grenzflächeneigenschaften。Daher soll in diesem Vorhaben versucht韦尔登，eine vollständig oxidische TMR-Struktur aufzubauen，die Ferromagnet/Isolator-Grenzfläche bzgl.其化学性质和局部的Strompletertiilung和Spinpolarization zu messen。铁磁底电极采用锰氧化物、Fe_3O_4-和CrO_2-作为韦尔登，这些铁磁底电极都是通过高自旋极化形成的半金属铁磁体。

Der Tunnelmagnetowiderstand in Dreifachlagen-Systemen mit zwei magnetischen Elektroden und einer dazwischenliegenden isolierenden Barriere hat aufgrund von Anwendungen als magnetische Speicherzelle bzw. in der Magnetfeldsensorik in letzter Zeit viel Aufsehen erregt. Widerstandsänderungen von bis zu 50 % bei Raumtemperatur wurden beobachtet, wenn die relative Magnetisierungsausrichtung der ferromagnetischen Elektroden von der parallelen zur antiparallelen Orientierung wechselt. Systeme mit metallischen Schichten und einer Oxidbarriere haben aber enorme Probleme bzgl. definierter sowie reproduzierbarer Grenzflächeneigenschaften, bedingt durch Interdiffusion an der Ferromagnet/Isolator-Grenzfläche und durch partielle Oxidation der ferromagnetischen Elektroden. Daher soll in diesem Vorhaben versucht werden, eine vollständig oxidische TMR-Struktur aufzubauen, die Ferromagnet/Isolator-Grenzfläche bzgl. ihrer chemischen Zusammensetzung zu charakterisieren und die lokale Stromdichteverteilung und Spinpolarisation zu messen. Als ferromagnetische Bottom-Elektroden sollen Manganat-, Fe3O4- und CrO2-Dünnschichten verwendet werden, die sich alle als halbmetallische Ferromagnete durch eine sehr hohe Spinpolarisation auszeichnen.