Niedrigfrequenz- 1/f und Phasenrauschen in niedrig-dimensionalen Nitrid basierenden Heterostrukturen

该项目将在德国尤利希研究中心（FZJ）和乌克兰基辅半物理研究所（ISP）之间建立一个最好的合作机构，该机构将加强韦尔登的工作。本项目主要是对纳米异质结构中的非线性流体动力学和非线性输运进行实验和理论研究。下面的物体是氮化物异质结构。这是一个很好的解决方案，它可以通过对激光束进行量子化处理，并通过对光纤晶体管进行电子扫描，从而获得韦尔登。实验工作者韦尔登在研究领域（FZJ和ISP）取得了成功。这是通过在一个西方国家进行的实验研究来解决电力系统的物理问题，因此韦尔登有可能成为新的减少韦尔登电力系统的动力学基础。Besondere Aufmerksamkeit gilt dabei der Untersuchung von Möglichkeiten zur Reduktion des Rauslaughter in Kurzkanaltransistoren.该方法解决了III-V族氮化物异质结和Feldeffekt-Transistoren变韦尔登的问题。Die Ergebnisse dieses Cooperationsprojektes韦尔登sowohl für die Nitriden basierende moderne Nano- und Optoelektronik als auch für Hochfrequenz- und HoochistungsIII-V-Elektronik von grosser Bedeutung sein.

Durch das Projekt soll eine bestehende Zusammenarbeit zwischen dem Forschungszentrum Jülich (FZJ), Deutschland und dem Institut für Halbleiterphysik (ISP), Kiew, Ukraine intensiviert werden. Das Projekt konzentriert sich auf experimentelle und theoretische Untersuchungen von Nicht-Gleichgewichtsfluktuationen und Besonderheiten des nicht-linearen Transports in state-of-theart Nano-Heterostrukturen. Die dabei zu untersuchenden Objekte sind Nitrid-Heterostrukturen. Konkret sollen dabei Fluktuationsphänomene, die mit der Bewegung von Ladungsträgern in Quantentöpfen und in engen Elektronenkanälen von FeldeffektTransistoren zusammenhängen, untersucht werden. Die experimentellen Arbeiten werden in beiden Forschungseinrichtungen (FZJ und ISP) durchgeführt. Es sollen die physikalischen Ursachen des elektrischen Rauschens durch experimentelle Untersuchungen in einem weitern Spektralbereich ermittelt werden sowie neue Konzepte zur möglichen Reduktion des Rauschpegels entwickelt werden. Besondere Aufmerksamkeit gilt dabei der Untersuchung von Möglichkeiten zur Reduktion des Rauschens in Kurzkanaltransistoren. Die entwickelten Methoden sollen auf III-V Nitrid-Heterostrukturen und Feldeffekt-Transistoren angewandt werden. Die Ergebnisse dieses Kooperationsprojektes werden sowohl für die auf Nitriden basierende moderne Nano- und Optoelektronik als auch für Hochfrequenz- und HochleistungsIII-V-Elektronik von grosser Bedeutung sein.